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知識星球（星球名：芯片制造與封測技術(shù)社區(qū)，星球號：63559049）里的
學(xué)員問：PMOS與NMOS是如何工作的？什么是PMOS與NMOS？
此處以增強(qiáng)型PMOS,NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強(qiáng)型MOS管。
上圖為PMOS的示意圖，襯底為N型半導(dǎo)體，源極 (Source) 和漏極 (Drain)摻雜了?P型雜質(zhì) (如硼 B)，形成?P+區(qū)。N型硅多電子。
上圖為NMOS的示意圖，襯底為P型硅，襯底源極 (Source) 和漏極 (Drain)摻雜了N型雜質(zhì) (如磷 P)，形成?N+區(qū)。P型硅多空穴。
NMOS的工作原理
如上圖：當(dāng)柵極沒有施加電壓時(shí),源極和漏極之間沒有電流通過，MOSFET 處于關(guān)斷狀態(tài)?。
當(dāng)柵極施加一個(gè)正電壓時(shí)，該電場會將P型襯底中靠近柵氧的空穴排斥開，同時(shí)吸引電子到柵氧下方的區(qū)域，形成N型導(dǎo)電溝道。
在漏極 (Drain) 上施加正電壓?，在源極和漏極之間形成電壓差。電子從源極經(jīng)過溝道流向漏極，形成漏極電流，電路導(dǎo)通。通過調(diào)節(jié)柵電壓，可以控制導(dǎo)電通道的寬度，從而調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流流動。
PMOS的工作原理
PMOS 晶體管中，當(dāng)柵極施加負(fù)電壓時(shí)，N型襯底中的電子被排斥，空穴 (Holes)?被吸引到柵極下方。形成一個(gè)P型導(dǎo)電溝道?，連接源極和漏極，實(shí)現(xiàn)空穴流動。當(dāng)在源極和漏極之間施加電壓時(shí)，電流可以流動。
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