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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產(chǎn)品GaN HEMT，被先進的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服務(wù)器電源采用。羅姆的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開關(guān)性能，助力Murata Power Solutions的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元實現(xiàn)小型化和高效率工作。預(yù)計該電源單元將于2025年開始量產(chǎn)。
近年來，隨著AI（人工智能）和AR（增強現(xiàn)實）等在IoT領(lǐng)域的發(fā)展，數(shù)據(jù)通信量在全球范圍內(nèi)呈現(xiàn)持續(xù)增加趨勢。其中，據(jù)說使用AI進行一次查詢所消耗的電量比普通的網(wǎng)頁搜索要高數(shù)倍，這就迫切需要為處理這些查詢的高速運算設(shè)備等供電的AI服務(wù)器電源進一步提高效率。另一方面，具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性的GaN器件因其有助于電源的高效率工作和外圍元器件（如電源電路中使用的電感器等）的小型化而備受矚目。
Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu表示：“很高興通過使用羅姆的GaN HEMT，使我們能夠設(shè)計出具有更高效率和更高功率密度的AI服務(wù)器電源單元。利用GaN HEMT的高速開關(guān)工作、低寄生電容以及零反向恢復(fù)特性，可將對開關(guān)損耗的影響控制到最小，還可提高開關(guān)轉(zhuǎn)換器的工作頻率并削減磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT在性能方面非常具有競爭力，且可靠性也很高，用在我們的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元中，取得了非常好的效果。未來，我們將通過繼續(xù)與在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢顯著的羅姆合作，努力提高各種電源的效率，為解決電力供需緊張的社會課題貢獻力量?！?/p>
羅姆 LSI事業(yè)本部 Power Stage產(chǎn)品開發(fā)部 部長 山口雄平表示：“羅姆的EcoGaN?能夠被電源領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者Murata Power Solutions的AI服務(wù)器電源單元采用，深感榮幸。這次采用的GaN HEMT具有行業(yè)先進的開關(guān)性能，而且使用的是散熱性優(yōu)異的TOLL封裝，有助于Murata Power Solutions的電源單元實現(xiàn)更高功率密度和更高效率。另外，在“通過電子產(chǎn)品為社會做貢獻”方面，Murata Power Solutions與羅姆的經(jīng)營愿景一致，我們希望未來也繼續(xù)與村田制作所合作，雙方共同促進電源的小型化和效率提升，并為人們豐富多彩的生活貢獻力量。
