TPT1028Q采用優(yōu)化的電路設計,擁有極低的電磁發(fā)射(EME)和高電磁抗擾性(EMI)。同時產(chǎn)品還具備從-45V至+45V的過壓保護、過溫關斷、欠壓、短路到地保護等多重保護特性,增強設備和網(wǎng)絡穩(wěn)定性。TPT1028Q的IEC ESD靜電保護等級達到±15kV,可有效提升系統(tǒng)和網(wǎng)絡的可靠性與魯棒性。TPT1028Q可提供SOP-8、ESOP-8和DFN3X3-8L封裝,并已順利通過AEC-Q100認證,滿足車規(guī)級芯片工作條件要求。
然而,此方案的設計復雜度較高,需要單獨設計LDO電路,增加了設計工作量。同時,兩個獨立組件占用了更多的PCB空間,不利于空間受限的應用,且成本較集成方案略有上升。
方案實現(xiàn)了高度集成化,減少外部器件數(shù)量,簡化設計過程,PCB占地空間更小,有利于小型化布局。同時,整體方案成本較低,適合大規(guī)模、低成本的應用。
但因方案內(nèi)置的LDO輸出電流限制在125mA,需要考慮環(huán)境溫度并降額,無法滿足高電流需求。
TPP36307Q能提供最大3A電流,可同時為CAN收發(fā)器、LIN收發(fā)器和多個芯片供電。相較于LDO,TPP36307Q典型輕載效率在85%以上,低IQ(6μA),減少功耗,總體發(fā)熱量低。
然而,此方案成本較高,需要額外的DC/DC轉(zhuǎn)換器和Buck電感電容,增加了整體方案成本。同時,PCB面積較大,需要更多元件和布局空間。此外,盡管TPP36307Q具有出色的EMC展頻技術,但相較于LDO,其EMC表現(xiàn)相對較差,需要額外的濾波和屏蔽設計。
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