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?近日，HKC惠科表示，已成功完成全球首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片 （SiMiP）在微間距LED大屏直顯領(lǐng)域的應(yīng)用的研發(fā)。該技術(shù)基于立琻半導體SiMiP芯片基礎(chǔ)上的共同研發(fā)，提升了生產(chǎn)效率與顯示效果。
此次研發(fā)的SiMiP技術(shù)通過單芯集成紅綠藍三基色像元，簡化生產(chǎn)與修復(fù)工藝，該技術(shù)可大幅提高微間距LED顯示模組生產(chǎn)的直通良率，顯著降低生產(chǎn)成本，兼具高性能和成本的優(yōu)勢，或?qū)⑦M一步推動微間距LED大屏直顯技術(shù)的革新與普及。
SiMiP是一種高階MiP技術(shù)，通過單芯集成紅綠藍三基色像元，無需復(fù)雜的巨量轉(zhuǎn)移和修復(fù)工藝，只需一次固晶即可將芯片轉(zhuǎn)移到驅(qū)動背板上。該技術(shù)可大幅提高微間距LED顯示模組生產(chǎn)的直通良率，顯著降低生產(chǎn)成本，兼具高性能與低成本的優(yōu)勢，為微間距LED大屏直顯應(yīng)用提供了更具競爭力的解決方案。
該技術(shù)有以下4點優(yōu)勢：
1.晶圓級封裝：SiMiP晶圓切割出的晶粒即為MiP封裝結(jié)構(gòu)，可直接用于轉(zhuǎn)移固晶，簡化工藝流程，降低成本。
2.無需巨量轉(zhuǎn)移：?SiMiP單芯集成了紅、綠、藍三個子像元芯片，可采用成熟的高良率、低成本Pick&Place固晶工藝將芯片轉(zhuǎn)移到驅(qū)動背板，無需復(fù)雜的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，大幅提高直通良率。
3.紅綠藍三合一：SiMiP芯片通過色轉(zhuǎn)換材料實現(xiàn)紅綠像元發(fā)光，無需傳統(tǒng)的紅、綠發(fā)光芯片，不僅降低了成本，還避免了傳統(tǒng)四元紅光芯片生產(chǎn)中用到的有毒材料，更加環(huán)保。
4. 一致性好：SiMiP芯片通過硅基藍光Micro-LED與自研色轉(zhuǎn)換技術(shù)集成實現(xiàn)單芯全彩化，紅、綠發(fā)光像元在工作電壓、出光分布及發(fā)光波長上具有高度一致性和穩(wěn)定性。紅綠像元發(fā)光波長不隨工作電流和溫度的變化而變化，且出光分布不易受固晶偏差干擾，從根源上解決了傳統(tǒng)方案的色偏問題。
2024年至今，惠科持續(xù)并加大在MLED領(lǐng)域發(fā)力，項目投資方面超過百億，且在今年提速推進Mini LED產(chǎn)能建設(shè)，且在去年12月，相繼獲得綿投集團24億元增資；與長虹控股集團簽署2025年戰(zhàn)略合作備忘錄；與長沙市政府團隊洽談內(nèi)容包括惠科Mini LED背光/直顯模組及整機項目的建設(shè)；并成功點亮行業(yè)首款玻璃基HMO背板的6.67英寸 Micro LED直顯屏體。
可見，惠科逐步將Mini LED技術(shù)納入其戰(zhàn)略規(guī)劃，隨著惠科在Mini LED領(lǐng)域的持續(xù)投入和產(chǎn)能擴張，Mini LED技術(shù)或有望成為其核心業(yè)務(wù)的重要組成部分，不僅將為公司業(yè)績增長提供強勁動力；與此同時，這一戰(zhàn)略布局或?qū)榛菘频腎PO進程注入新的動能，助力其在資本市場實現(xiàn)更大突破。
立琻半導體則是國內(nèi)半導體領(lǐng)域的新銳企業(yè)，在2021年3月成功競標收購了韓國LG的光電化合物半導體事業(yè)部資產(chǎn)。該收購交易涵蓋了近萬項GaN和GaAs 技術(shù)相關(guān)全球?qū)＠?/p>
