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知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū)，星球號(hào)：63559049）里的學(xué)員問(wèn)：cmp中凹陷和腐蝕有什么區(qū)別？產(chǎn)生的原因有哪些？
dishing與ersion是什么？
如上圖，dishing是cmp后的介質(zhì)層與Cu層最低點(diǎn)形成的凹坑。而Erosion是介質(zhì)層在cmp研磨前后的差距。其中Dishing通常發(fā)生在較寬的金屬層中。金屬比介電層軟，因此在CMP過(guò)程中，金屬區(qū)域的去除速率通常比介電層快，導(dǎo)致金屬表面出現(xiàn)凹陷。 Erosion一般發(fā)生在較細(xì)的金屬線(xiàn)周?chē)瑨伖庖簩?duì)金屬線(xiàn)，介質(zhì)層均有腐蝕。
dishing與ersion造成的影響？
1，金屬層變薄，導(dǎo)致導(dǎo)線(xiàn)的阻抗變化，從而影響電氣性能，特別是在高頻應(yīng)用中，信號(hào)的傳輸質(zhì)量可能會(huì)大幅下降。
2，晶圓表面不平整，提高了后續(xù)第二層金屬的的cmp研磨困難度
如何減小dishing？
1，選用合適的拋光墊，如選用無(wú)孔隙PU材質(zhì)的拋光墊
2，選用高選擇比的拋光液
3，dummy fill，在一些空白區(qū)域進(jìn)行虛擬填充，以增加圖形密度。
4，減小過(guò)拋光的時(shí)間及壓力
等等
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