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俄羅斯芯片大廠,被炸了

01/27 10:00 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫(ID:ICVIEWS)綜合
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無人機(jī)襲擊,俄羅斯KREMNIY EL陷入全面癱瘓。

據(jù)報道,俄羅斯最大的芯片制造商KREMNIY EL微電子制造工廠因遭受烏克蘭無人機(jī)襲擊而暫停生產(chǎn)。據(jù)悉,此次襲擊規(guī)模空前,共計發(fā)生了六次襲擊,當(dāng)前襲擊致使工廠生產(chǎn)活動暫停,陷入全面癱瘓。

KREMNIY EL工廠坐落于布良斯克市,該市及該工廠多次成為烏克蘭的攻擊目標(biāo)。就在過去短短三個月內(nèi),該工廠遭到了兩次襲擊,上一次襲擊發(fā)生在2024年10月底。

此次襲擊,布良斯克地區(qū)上空戰(zhàn)況激烈,俄軍共擊落37架無人機(jī),其中六次攻擊直逼KREMNIY EL工廠,對工廠造成了嚴(yán)重破壞,工廠停產(chǎn),部分廠房及存放成品的倉庫受損,生產(chǎn)鏈條也被破壞。

值得慶幸的是,目前尚未有人員傷亡的消息傳出。不過,KREMNIY EL工廠方面目前還未給出生產(chǎn)恢復(fù)的時間表,此次襲擊造成的具體損失金額以及被部分或完全摧毀的成品數(shù)量也都處于未知狀態(tài)。

180億盧比,KREMNIY EL的擴(kuò)產(chǎn)計劃

KREMNIY EL是俄羅斯最大的微電子企業(yè)之一,擁有815個全國范圍內(nèi)的客戶,當(dāng)前員工超過1700人,其中約90% 的產(chǎn)品用于軍工產(chǎn)品零部件生產(chǎn),包括Pantsir 和S-500導(dǎo)彈系統(tǒng)的部件,以及Kalibr巡航導(dǎo)彈。

KREMNIY EL主要生產(chǎn)半導(dǎo)體器件集成電路芯片和功率模塊。其中,晶體管、二極管等基礎(chǔ)半導(dǎo)體元件是構(gòu)成各種電子設(shè)備的基礎(chǔ),可廣泛應(yīng)用于各類電路中;多種類型的集成電路芯片產(chǎn)品為俄羅斯的軍工產(chǎn)品如防空系統(tǒng)、導(dǎo)彈系統(tǒng)等提供關(guān)鍵的控制和運(yùn)算功能;各種功率等級的電源模塊等能夠?yàn)殡娮釉O(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。

由于KREMNIY EL的重要性,自2010年以來俄羅斯聯(lián)邦軍工聯(lián)合體每年為該企業(yè)投入約550萬美元,2014年之后該企業(yè)更是肩負(fù)起了解決進(jìn)口替代問題的重任,投入自然有增無減。根據(jù)KREMNIY EL 2014年報告,自2000年以來產(chǎn)量已增加8倍,其中IC和晶體管等產(chǎn)量位居俄羅斯第一,當(dāng)年產(chǎn)量預(yù)計為700萬只。

就在2024年11月初,KREMNIY EL剛剛公布了一項(xiàng)超過180億盧比的投資規(guī)劃。在這項(xiàng)規(guī)劃中明確規(guī)定了資金的用途,其中120億盧布將用于轉(zhuǎn)向150毫米(6英寸)硅片生產(chǎn),以此降低成本,同時開展碳化硅微芯片的研發(fā)工作;42億盧布用于將微芯片工藝節(jié)點(diǎn)縮小到350納米,提高芯片制造的精細(xì)化程度和性能;21億盧布則用于擴(kuò)大功率模塊的產(chǎn)品線,豐富產(chǎn)品種類,以滿足更多領(lǐng)域的市場需求。

2400億盧布,俄羅斯半導(dǎo)體投資計劃

隨著出口管制的不斷升級,俄羅斯芯片和微電子制造難度逐步增加,關(guān)鍵半導(dǎo)體設(shè)備獲取成本提升了40%至50%。而俄羅斯本土芯片制造商的制程工藝仍停留在65nm或90nm等成熟節(jié)點(diǎn),且對外國半導(dǎo)體制造設(shè)備依賴較大,在 400種芯片制造工具中,俄羅斯本土制造占比僅為 12%。

值得注意的是,此前俄羅斯國內(nèi)的芯片生產(chǎn)僅限于兩家大公司——米克朗和安斯特雷姆(Angstrem-T)。而Angstrom-T公司因無力清償990萬美元的龐大債務(wù),于2024年12月宣告破產(chǎn),這無疑讓俄羅斯半導(dǎo)體發(fā)展雪上加霜。

為了降低芯片生產(chǎn)成本并減少對外國工具的依賴,截止到2024年10月,俄羅斯政府已撥款超過 2400 億盧布支持國產(chǎn)半導(dǎo)體制造所需設(shè)備、CAD工具及原材料研發(fā),目標(biāo)是到2030年實(shí)現(xiàn)對于國外約70%的半導(dǎo)體設(shè)備和材料的替代。

據(jù)悉,該計劃由俄羅斯工業(yè)部、貿(mào)易部、俄羅斯國際科學(xué)技術(shù)中心 MIET 電子工程部制定,涉及半導(dǎo)體制造的多個環(huán)節(jié):技術(shù)設(shè)備、材料和化學(xué)品、計算機(jī)輔助設(shè)計 (CAD)系統(tǒng)。俄羅斯工業(yè)和貿(mào)易部也在完成一項(xiàng)單獨(dú)計劃的工作,以加速實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵部件的本地化生產(chǎn)。

目前該計劃的參與組織超過有50個,預(yù)計啟動110個研發(fā)項(xiàng)目,開發(fā)20種不同的技術(shù)路線,涵蓋從180nm到28nm 的微電子、微波電子、光子學(xué)、電力電子等領(lǐng)域,構(gòu)建更完善的半導(dǎo)體體系。

通過該計劃,俄羅斯期望到2030年實(shí)現(xiàn)65nm技術(shù)國產(chǎn),能夠自主生產(chǎn)65nm或90nm制程晶圓的光刻系統(tǒng),并最終使用28nm級工藝技術(shù)制造芯片。在2026年底實(shí)現(xiàn)利用國產(chǎn)設(shè)備來生產(chǎn)單晶、切割硅晶圓、研磨和拋光、洗滌和干燥、應(yīng)用元素并控制輸出產(chǎn)品(X 射線衍射儀、缺陷控制);完成用于350nm和130nm工藝技術(shù)的光刻設(shè)備和用于150nm生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的電子束光刻設(shè)備的開發(fā),掌握外延法工藝。

*聲明:本文系原作者創(chuàng)作。文章內(nèi)容系其個人觀點(diǎn),我方轉(zhuǎn)載僅為分享與討論,不代表我方贊成或認(rèn)同,如有異議,請聯(lián)系后臺。

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