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近日，納芯微全新推出CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET ——NPM12023A系列產(chǎn)品，優(yōu)異的短路過流能力與雪崩過壓能力、更強的機械壓力耐受能力，可以為便攜式鋰電設(shè)備充放電提供全面的保護。
納芯微全新CSP封裝MOSFET系列產(chǎn)品，采用自有專利芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計，綜合性能優(yōu)于業(yè)內(nèi)傳統(tǒng)Trench VDMOS工藝，擁有超低導(dǎo)通阻抗及高ESD (>2kV) 保護功能等特點。該技術(shù)兼顧了產(chǎn)品小型化和高過流要求，同時解決了傳統(tǒng)CSP封裝芯片機械強度低、雪崩能量小、生產(chǎn)組裝加工困難等問題，為客戶提供更安全、更可靠的產(chǎn)品，簡化客戶的設(shè)計。
圖1：納芯微CSP封裝MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢
便攜式鋰電設(shè)備對于充放電保護的要求：高強度，小體積
智能手機、平板電腦等便攜式鋰電設(shè)備變得比以前更輕薄，功能更強大，同時對設(shè)備的充放電功率要求也越來越高：從最初的3-5W，到現(xiàn)在超過100W的充放電功率，使人們在享受更便捷的生活的同時，提高了充電效率，減少了電量焦慮的困擾。充放電功率的不斷提高，對用于鋰電池保護的MOSFET的性能提出了更高的挑戰(zhàn)：如何在降低內(nèi)阻的同時，兼顧機械應(yīng)力及雪崩能量等要求，成為聚焦的重點。
圖2：CSP封裝MOSFET典型應(yīng)用場景
技術(shù)特點：
專有的CSP封裝技術(shù)
納芯微全新CSP封裝系列產(chǎn)品在設(shè)計之初就在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上做了調(diào)整，使導(dǎo)通電流平行于芯片表面，縮短電流路徑，從而降低導(dǎo)通電阻，也就從根源上解決了CSP封裝MOSFET的機械強度問題（耐受機械壓力>60N），更高的機械強度，可以幫助芯片在兼顧輕薄化、小型化的基礎(chǔ)上，最大程度上降低使用過程中的變形、裂片等問題，保證了產(chǎn)品的可靠性和安全性。
圖3：納芯微CSP封裝結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)CSP封裝結(jié)構(gòu)對比
高抗短路和雪崩的能力
作為鋰電池保護電路中的關(guān)鍵器件，CSP封裝MOSFET的短路過流能力和雪崩過壓能力也是衡量該芯片的重要參數(shù)指標(biāo)。相比市場上其他產(chǎn)品，納芯微該系列產(chǎn)品具備非常好的抗短路和雪崩的能力：短路電流測試達到280A，雪崩能力測試>30A(225mJ)。
圖4：納芯微CSP封裝MOSFET短路及雪崩測試
納芯微CSP封裝MOSFET產(chǎn)品選型表
