特瑞仕開發(fā)了功率MOSFET XPJ101N04N8R 和 XPJ102N09N8R

特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社（日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理：木村 岳史，以下簡(jiǎn)稱“特瑞仕”）開發(fā)了功率 MOSFET XPJ101N04N8R 和 XPJ102N09N8R 作為功率器件的新系列。

近年來，工業(yè)設(shè)備和汽車相關(guān)設(shè)備對(duì)低功耗、小型化和高效化的需求不斷增加。為了響應(yīng)這些市場(chǎng)需求，特瑞仕不斷加強(qiáng) MOSFET 技術(shù)。特別是針對(duì)工業(yè)設(shè)備、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器使用的 48V 直流電機(jī)，采用了支持耐壓 100V 的設(shè)計(jì)，兼具高性能與高性價(jià)比。

XPJ101N04N8R-G 實(shí)現(xiàn)了最大 4.4mΩ 的導(dǎo)通電阻，而 XPJ102N09N8R-G 實(shí)現(xiàn)了最大 9.4mΩ 的導(dǎo)通電阻。這種低導(dǎo)通電阻能夠有效降低能量損失，有助于提高整個(gè)系統(tǒng)的效率。該產(chǎn)品擁有出色的 FOM（Figure of Merit），非常適合需要高速切換特性的應(yīng)用。可用于直流電機(jī)、開關(guān)電路等多種應(yīng)用場(chǎng)景。

產(chǎn)品采用 DFN5060-8L 封裝（6.0 x 4.9 x h1.1mm），有助于設(shè)備的小型化。此外，這些產(chǎn)品符合歐盟RoHS 指令，并為無鉛環(huán)保產(chǎn)品。

特瑞仕今后也將根據(jù)市場(chǎng)需求迅速開發(fā)產(chǎn)品，為實(shí)現(xiàn)富裕的社會(huì)繼續(xù)做出貢獻(xiàn)。

圖 1. DFN5060-8L 封裝(6.0 x 4.9 x h1.1mm)