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/ 前言 /
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。
上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講清瞬態(tài)熱阻曲線的應(yīng)用。
浪涌電流
二極管的浪涌電流能力是半導(dǎo)體器件的一個(gè)重要參數(shù)。在被動(dòng)整流應(yīng)用中，由于電網(wǎng)的頻率是50Hz，因此10ms的二極管電流能力一般作為表征這一性能的參數(shù)被寫入器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中。但是也有一些應(yīng)用場(chǎng)合其時(shí)間是不同的，比如電網(wǎng)頻率是60Hz，或者半導(dǎo)體器件IGBT短路，直流側(cè)能量通過二極管放電，因此在這些特定場(chǎng)合條件下需要利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算不同時(shí)間尺度下二極管能承受的浪涌電流。
浪涌電流導(dǎo)致的二極管失效表明失效點(diǎn)來(lái)自鋁金屬化層的熱失效，然后導(dǎo)致二極管PN結(jié)損壞，因此普遍認(rèn)為二極管在承受高浪涌電流時(shí)，能量或者熱是導(dǎo)致失效的根本原因，也就是說(shuō)溫度變化是直接導(dǎo)致器件損壞。下圖是二極管損壞的照片，照片中紅色箭頭標(biāo)識(shí)的位置出現(xiàn)熔化。
圖1.浪涌電流條件下，二極管芯片損壞照片
浪涌電流計(jì)算
下面從能量角度分析，設(shè)E為這一過程中的由于大電流產(chǎn)生的能量：
在這一工作過程中，我們把V-I關(guān)系做線性化處理：
當(dāng)電流比較大時(shí)，V0可以被忽略，通過積分可以得到：
在上式中，R表示二極管V-I曲線的斜率，IFSM表示浪涌電流大小，tp指對(duì)應(yīng)的時(shí)間。
另一方面，我們假定芯片的溫度變化Delta T可以用如下公式表示：
從上式可以得出，如果我們認(rèn)定溫度變化是導(dǎo)致芯片在浪涌大電流損壞的主要原因時(shí)，就可以認(rèn)為zthjcI2FSM一個(gè)常量。
如上文中談到的，一般的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)給出10ms的二極管浪涌電流值，同時(shí)熱阻曲線也會(huì)給出，依據(jù)以上公式就可以計(jì)算任何時(shí)間的二極管浪涌電流大小了。
瞬態(tài)熱阻曲線的應(yīng)用
如下通過一個(gè)實(shí)例計(jì)算FF600R17ME4的二極管電流以及I2t隨時(shí)間變化的曲線，便于在應(yīng)用系統(tǒng)中和熔斷保護(hù)器匹配使用。以下舉例計(jì)算FF600R17ME4器件在100ms的浪涌電流。
圖2.FF600R17ME4二極管熱阻曲線
首先，借助動(dòng)態(tài)熱阻曲線的四階參數(shù)，可以計(jì)算得到10ms時(shí)的動(dòng)態(tài)熱阻值為0.02384，同樣也可以計(jì)算得到100ms的動(dòng)態(tài)熱阻為0.0622。
從FF600R17ME4的數(shù)據(jù)手冊(cè)可以查到在10ms時(shí)，器件的I2t為32000，因此可以計(jì)算浪涌電流值為1789A。
接下來(lái)用上述公式（1）計(jì)算得到100ms的浪涌電流值為1108A。圖3為按照上述方法計(jì)算得到的不同時(shí)間的浪涌電流值曲線。得到浪涌電流值后，在不同時(shí)間的I2t同樣也可以計(jì)算，圖4所示為不同時(shí)間相對(duì)于10ms時(shí)的關(guān)系曲線。
圖3.通過公式計(jì)算的浪涌電流隨時(shí)間的變化曲線
圖4.FF600R17ME4 I2t隨時(shí)間變化的標(biāo)幺值
小結(jié)
計(jì)算半導(dǎo)體器件二極管的浪涌電流的過程如下：
1.從數(shù)據(jù)手冊(cè)熱阻曲線中查到該時(shí)間條件下瞬態(tài)熱阻值
2.根據(jù)公式（1）計(jì)算浪涌電流
3.如果要計(jì)算和熔斷保護(hù)器匹配的I2t，利用上述電流計(jì)算就可以
如果想要了解詳細(xì)的測(cè)試以及仿真結(jié)果請(qǐng)參考2007年P(guān)CIM 論文：Numerical and ?experimental ?study ?on ?surge current ?limitation ?of ?wire-bonded ?power ?diodes
系列文章
功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）---功率半導(dǎo)體的熱阻
功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）----功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測(cè)量
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（七）——熱等效模型
參考資料
《IGBT模塊：技術(shù)、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用 》機(jī)械工業(yè)出版社
