芯耀
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作者 | 方文三
當前，英偉達的GPU終于確立了HBM技術的領先地位，整個行業(yè)正緊隨其后，加速HBM技術的發(fā)展。在AI硬件競爭的激烈角逐中，時間等同于生命，任何落后都可能導致被淘汰的命運。在HBM技術發(fā)展的道路上，一場無形的較量正在激烈進行，同時也標志著芯片市場競爭格局的重新塑造。
SK海力士年度營業(yè)利潤或超三星
近日，SK海力士在本年度第三季度實現了7.03萬億韓元的綜合營業(yè)利潤，刷新了季度業(yè)績的歷史記錄。
該業(yè)績顯著超越了市場對三星電子半導體部門設備解決方案（DS）部門同期營業(yè)利潤的預期，后者預計為4萬億韓元。
從兩家公司盈利年份來看，SK海力士今年的年度營業(yè)利潤極有可能首次超越三星電子的DS部門。
直至本年度第三季度，SK海力士的經營業(yè)績方才超越三星電子。
SK海力士在第一季度至第三季度的累計營業(yè)利潤達到15.3845萬億韓元。
三星電子DS部門在上半年的營業(yè)利潤為8.36萬億韓元，假設第三季度的營業(yè)利潤達到市場預期，則其第一季度至第三季度的累計營業(yè)利潤將大約為12萬億韓元。
據證券公司預測，依據今年前三季度的收益數據，SK海力士的年度營業(yè)利潤預計將達23.48萬億韓元，此數值預期將超越三星芯片部門預計的18萬億韓元。
韓國交易所10月27日發(fā)布的數據顯示，三星電子與SK海力士的市值份額差距已縮小至近13年來的最低水平。
以10月25日的數據為準，三星電子普通股市值為333.71萬億韓元，占韓國綜合股價指數（KOSPI）總市值的15.85%，降至近8年多來的最低水平。
而SK海力士普通股市值為146.328萬億韓元，占KOSPI的6.95%，創(chuàng)下歷史新高。
三星電子在AI芯片發(fā)力之時略顯疲軟
SK海力士之所以取得如此佳績，主要得益于其銷售額的增長，尤其是高附加值產品如高性能內存（HBM）和企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）的銷售，這些產品因應AI技術的興起而需求激增。
其HBM銷售額顯著增長，同時DRAM和NAND內存產品的平均售價上升，進一步促進了利潤的增長。
相對而言，三星電子的業(yè)績表現未達預期，主要由于大部分傳統(tǒng)內存產品需求減緩，以及HBM產品占比較小，加之代工周期延長導致的虧損。
三星電子在HBM領域已失去其領先地位。
鑒于半導體需求主要集中在AI以及智能手機和個人電腦等傳統(tǒng)信息技術需求的停滯，三星電子面臨相對的困境。
三星證券指出，當前成功的必要條件正從成本控制轉變?yōu)闀r間控制。
對于SK海力士而言，及時提供符合技術發(fā)展速度的下一代產品是其在AI時代半導體領域成功的關鍵因素。
市場研究機構TrendForce指出，從HBM產品類型來看，自英偉達Blackwell GPU起，新產品將逐步轉向12層HBM3E。
預計到2025年，HBM3E將取代HBM3成為市場主流，占據整體HBM市場需求的89%，其中12層堆疊產品將占據超過一半的市場份額。
盡管三星全力投入HBM的開發(fā)，但直到今年2月才宣布開發(fā)出HBM3E 12H技術，其何時能通過英偉達的認證尚待觀察。
關鍵在于，三星和SK海力士都面臨一個共同的問題：在新技術開發(fā)極為困難、成本高昂且市場需求尚未明朗的情況下，是否仍應繼續(xù)投資于新技術。
三星選擇放慢步伐，但正是這一關鍵決策，使得長期處于追趕地位的SK海力士有機會超越成為行業(yè)領導者。
SK海力士正處于產品升級周期之中。以AI為中心的高附加值需求持續(xù)增長，SK海力士的DDR5和HBM產品比例較高，因此受行業(yè)狀況的影響相對較小。
HBM領域的強勢先發(fā)優(yōu)勢將體現在營收上
SK海力士最近已經開始將混合鍵合技術應用于3D DRAM的量產。
除了SK海力士之外，三星電子的先進封裝團隊也已完成采用16層混合鍵合HBM內存技術的驗證，未來16層堆疊混合鍵合技術將應用于HBM4內存的量產。
然而，制造HBM芯片需要眾多先進技術，但其前提是DRAM的質量和成本，這又取決于其良率。
DRAM合格后，接下來的問題是公司將采用哪種封裝和鍵合技術來決定HBM的性能。
三星電子和SK海力士都在采用1b納米制程技術（相當于12納米范圍）用于HBM3E的DRAM。
良率通常是每家存儲廠商的機密數據，但據透露，三星電子的1b納米DRAM的良率明顯低于SK海力士。
成為明年下半年各大AI廠商爭奪的主流產品，其次是8層HBM。
據相關報道，SK海力士目前是英偉達第四代和第五代HBM3及HBM3E的獨家供應商，而三星仍在進行資格測試。
這表明，三星在這些方面的努力尚未達到預期目標，從而使得競爭對手獲得了優(yōu)勢。
據路透社報道，三星顯然未能獲得向英偉達供應HBM的合同。
報道中提到，三星HBM3的生產良率估計在10%至20%之間，而SK海力士的良率則在60%至70%。
近期，英偉達創(chuàng)始人黃仁勛宣布，將英偉達的AI芯片更新周期從兩年縮短至一年。
換言之，這一策略不僅要求GPU適應如此快速的迭代，也促使包括存儲芯片在內的供應商加快技術進步的步伐。
據SemiAnalysis公司首席分析師Dylan Patel所言，目前SK海力士在HBM市場的整體份額超過70%，其中HBM3的市場份額超過85%。
這表明，三星可能會繼續(xù)面臨與競爭對手的差距擴大。
結尾：
正如SK海力士強勁的業(yè)績所展示的，AI正在引領全球半導體行業(yè)的發(fā)展方向。
關鍵在于是否能夠加入目前主導AI芯片需求的英偉達供應鏈。
預計明年HBM需求將高于預期，明年HBM需求仍將大于供應。
AI需求的日益增長，加上HBM等AI內存產品的高利潤屬性，也促使供應商提高相應的生產能力和技術水平。
據ZDNet Korea最近報道，SK海力士正在縮減其CIS和晶圓代工業(yè)務規(guī)模，將產能縮減至2023年水平的一半以下，并且將系統(tǒng)級芯片（SoC）設計部門的員工重新分配到HBM業(yè)務。
部分資料參考：半導體行業(yè)觀察：《韓國芯片，變天了》，電子業(yè)財經：《SK海力士第三季度業(yè)績再創(chuàng)新高，受益于AI需求增長》，半導體產業(yè)縱橫：《三星 VS SK海力士：朝鮮半島的另一場硬仗》，財訊：《SK海力士翻身做老大》，芯財富：《AI決定命運，英偉達供應鏈全部飆漲》，環(huán)球資產觀察：《AI引爆財報季！SK海力士 業(yè)績大幅增長》，科創(chuàng)板日報：《HBM龍頭，爆了！》
