• 正文
    • 2.1 靜電放電ESD/IEC 61000-4-2
    • 2.2 浪涌抗擾度Surge/IEC 61000-4-5
    • 4.測試方法
  • 推薦器件
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靜芯微發(fā)布業(yè)內最大功率用于RS485芯片總線防護的ESD器件SENC712HA

2024/08/13
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1.介紹

湖南靜芯推出RS485總線防護用業(yè)內最大功率800W(競品600W)ESD器件SENC712HA,該器件在SOT-23封裝內集成了兩路非對稱電壓(-7V~12V)的ESD防護器件,和業(yè)內競品相比通流能力顯著提升,鉗位電壓顯著下降,能對RS485芯片提供更好的靜電和浪涌防護。

2.RS485測試要求

在工業(yè)、電力、自動化及儀器儀表應用中,RS-485總線標準是使用最廣泛的物理層總線設計標準之一,由于工作在惡劣電磁環(huán)境下,為了確保數據端口能夠正常工作,芯片必須符合電磁兼容性(EMC)法規(guī):IEC 61000-4-2靜電放電(ESD);IEC61000-4-4電快速瞬變(EFT);IEC 61000-4-5浪涌抗擾度(Surge)。靜芯公司的SENC712HA尖峰脈沖功率高達800W,在同等的測試環(huán)境中,擁有更高的峰值電流Ipp、更強的防浪涌能力、更低的鉗位電壓。

在RS-485端口的EMC設計中,我們需要重點考慮三個因素:靜電放電(ESD)、電快速瞬變(EFT)和浪涌(Surge)。 國際電工委員會(IEC)規(guī)范定義了一組EMC抗擾度要求,這組規(guī)范包括以下三種類型的高電壓瞬變,設計人員需要確保數據通信線路不受這些瞬變的損害。這三種類型分別是:

  • IEC 61000-4-2靜電放電(ESD)
  • IEC61000-4-4電快速瞬變(EFT)
  • IEC 61000-4-5浪涌抗擾度(Surge)

2.1 靜電放電ESD/IEC 61000-4-2

靜電放電(ESD)事件是指兩個具有不同靜電電勢的物體之間的能量轉移。靜電放電可以通過接觸或電離環(huán)境放電而發(fā)生。

IEC 61000-4-2的波形如圖1所示,上升時間定義在0.7ns到1ns之間:

圖1? IEC 6100-4-2 波形

測試方案的有不同的級別,對于空氣或接觸放電測試,他們的測試電壓不同,如表1:

等級 指示電壓 KV 放電的第一個峰值電流/A(±15%) 放電開關操作時的上升時間tr/ns 在30ns時的電流/A(±30%) 在60ns時的電流/A(±30%)
1 2 7.5 0.6-1 4 2
2 4 15 0.6-1 8 4
3 6 22.5 0.6-1 12 6
4 8 30 0.6-1 16 8

表1 波形參數符合 IEC 61000-4-2

2.2 浪涌抗擾度Surge/IEC 61000-4-5

該標準涵蓋了非帶電電子元件的人工操作。這些操作可以包括拿起設備進行測試或將設備安裝在印刷電路板PCB)上。

IEC 61000-4-5波形如圖2,圖3所示:

  • 電壓波:

圖2 8/20浪涌電壓

前沿時間:T1=1.67T=1.2ms±30%

半峰時間:T2=50ms±20%

  • 電流波

圖3 8/20浪涌電流

前沿時間:T1=1.25T=8ms±20%

半峰時間:T2=20ms±20%

8/20浪涌是描述雷電感過電壓的一種特定波形,通過了解其特性和產生原因,可以選擇合適的浪涌保護器來保護電氣系統免受雷電等電氣瞬態(tài)事件的損害。

3.參數對比

靜芯微的SENC712HA,尖峰脈沖功率高達800W相較于市面上的同類型防護器件,在同等的測試環(huán)境中,擁有更高的峰值電流Ipp,更強的防浪涌能力,更低的鉗位電壓。SENE712HA與市面上比較熱門的712芯片的參數對比,如圖4所示:

圖4? 參數對比

我們將用SENC712HA與競品進行對比測試,讓他們分別與ES3088E進行靜電,浪涌測試。

4.測試方法

為了評估ES3088E在應用中與ESD器件的性能,測試板如圖6所示:

圖5? 測試板

在測試板中,U9焊接ES3088E,TVS1與TVS2中間焊接ESD靜電防護器件。

我們分別對ES3088E,SENC712HA與ES3088E,競品分別進行靜電測試,靜點測試設備為ESD61002TB,設備如圖7所示:

圖6 ?ESD靜電測試設備整機圖

測試數據如圖7所示。

圖7 ?ESD靜電測試數據

通過數據可知,SENC712HA與競品在靜電防護上,不管是接觸放電還是空氣放電,穩(wěn)定性更好,防護能力更強。接下來對他們進行Surge浪涌測試。測試設備為TVS8/20TC,如圖8所示:


圖8 ?8/20浪涌測試設備整機圖

ES3088E與SENC712HA,A or B通道到GND浪涌測試,110V浪涌測試電壓PASS,測試波形如圖9所示:


圖9? 90V,100V,110V浪涌測試波形圖(PASS)


ES3088E與712競品,A or B通道到GND浪涌測試,70V浪涌測試電壓FAIL,測試波形如圖10所示:

圖10? 50V,60V,70V浪涌測試波形圖(70V FAIL)

ES3088E與SENC712HA,A到B浪涌測試,60V浪涌測試電壓PASS,測試波形如圖11所示:

圖11? 50V 60V浪涌測試波形圖(PASS)

ES3088E與712競品,A到B浪涌測試,60V浪涌測試電壓FAIL,測試波形如圖12所示:


圖12? 50V 60V浪涌測試波形圖(60V FAIL)

測試數據匯總如圖14所示:

圖13? 8/20浪涌測試匯總

從測試結果得出,我司研制的SENC712HA與其他712競品有著更優(yōu)異的防浪涌能力,更低的鉗位電壓,更高的峰值電流,對RS485有著更好的靜電和浪涌防護能力。

5.應用信息

圖14 典型應用圖

SENC712HA這款ESD產品擁有800W的峰值功率,較高的峰值電流,快速的響應速度以及較低的鉗位電壓,相比與市場上其他712產品優(yōu)勢明顯,能夠提供更好的防護效果。

推薦器件

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器件型號 數量 器件廠商 器件描述 數據手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
CRCW0402100KFKEDHP 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 100000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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BSS169H6327XTSA1 1 Infineon Technologies AG Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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