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7月18日，臺(tái)積電舉行第二季度業(yè)績說明會(huì)表示，上調(diào)全年業(yè)績指引區(qū)間及資本支出目標(biāo)，董事長兼總裁魏哲家提出“晶圓代工2.0”新業(yè)態(tài)，重新定義晶圓代工產(chǎn)業(yè)，表示將包含封裝、測試、光罩等邏輯IC制造相關(guān)領(lǐng)域納入該范圍，并預(yù)期在此定義下2024年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將增長10%。行業(yè)人士表示，晶圓代工未來將在更大范疇開啟競爭。
（一）財(cái)報(bào)亮點(diǎn)：業(yè)績大增、先進(jìn)制程繼續(xù)升級(jí)、先進(jìn)封裝...
二季度營收同比增加40.1%
截至今年6月30日的第二季度，臺(tái)積電合并營收約新臺(tái)幣6,735億，同比增加40.1%，環(huán)比增加13.6%。第二季度毛利率和營業(yè)利潤率分別為 53.2% 和 42.5%。如營收以美元計(jì)算，第二季度則為208.2億美元，同比增長32.8%，環(huán)比增長10.3%。
對(duì)其業(yè)績?cè)鲩L，臺(tái)積電高級(jí)副總裁兼首席財(cái)務(wù)官黃文德表示，其歸功于市場對(duì)我們行業(yè)領(lǐng)先的3nm和5nm技術(shù)的強(qiáng)勁需求，但智能手機(jī)的持續(xù)季節(jié)性因素部分抵消了這一增長。邁入2024 年第三季度，臺(tái)積電預(yù)計(jì)智能手機(jī)和人工智能相關(guān)產(chǎn)品對(duì)公司尖端工藝技術(shù)的強(qiáng)勁需求將為業(yè)績提供支持。因此，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2024年全年美元營收同比增長從21%-26%上調(diào)至24%-26%；Q3毛利率53.5%-55.5%，經(jīng)營利潤率42.5%-44.5%。
先進(jìn)制程營收占比2/3，2nm即將到來！
從技術(shù)方面看，3nm工藝制程占臺(tái)積電二季度晶圓銷售金額的15%，5nm和7nm分別占35%和17%。7nm制程則占17%。總體來看，先進(jìn)技術(shù)（7nm及以下）在2024年第二季度創(chuàng)造了臺(tái)積電整體晶圓收入的67%。
據(jù)臺(tái)積電公開財(cái)報(bào)顯示，3nm和5nm先進(jìn)制程受益于AI浪潮驅(qū)動(dòng)顯示出極為強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭。3nm制程從去年三季度開始放量，營收從2023年的營收占比6％上升至今年二季度營收占比15%。而5nm則從2022年一季度營收占比20%上升至今年二季度的35%。而其后的成熟制程、特殊制程總體營收占比有所收縮。
目前3nm工藝的應(yīng)用場景主要是高端手機(jī)，業(yè)內(nèi)人士透露，今年下半年，臺(tái)積電3nm芯片月產(chǎn)量將從目前的10萬片增至12.5萬片，以滿足蘋果、英特爾、高通和聯(lián)發(fā)科等主要客戶的需求。據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備公司消息人士透露，臺(tái)積電5nm和3nm工藝的產(chǎn)能已經(jīng)滿載，尤其是3nm產(chǎn)能已經(jīng)供不應(yīng)求。臺(tái)積電目前5/3nm制程產(chǎn)能利用率已達(dá)100%。
臺(tái)積電表示，3nm制程需求非常強(qiáng)勁，不排除將更多5nm制程轉(zhuǎn)換為3nm。據(jù)悉，N5和N3制程之間的工具通用性超過90%，且這兩個(gè)節(jié)點(diǎn)都在中國臺(tái)灣臺(tái)南，晶圓廠緊密相鄰，因此轉(zhuǎn)換較為容易。另外值得注意的是，全球光刻龍頭ASML在前一天的法說會(huì)上也指出，主要用于3nm、2nm制程以下的半導(dǎo)體芯片的第三代EUV光刻機(jī)Twinscan NXE:3800E系統(tǒng)在下半年會(huì)大量交付。據(jù)悉臺(tái)積電在此中占據(jù)多數(shù)訂單。
官方消息顯示，臺(tái)積電的3nm工藝節(jié)點(diǎn)象征著最后一代基于FinFET制造的工藝技術(shù)，下一代2nm芯片將采用全柵（GAA）nm片晶體管技術(shù)。臺(tái)積電稱GAA晶體管通過環(huán)繞溝道四周的柵極提高了對(duì)電流的控制能力，從而顯著提升PPA特性，相較于N3E有明顯進(jìn)步，N2可使功耗降低25%-30%，性能提升10%-15%，晶體管密度增加15%。
目前，臺(tái)積電3nm制程家族主要包括四個(gè)版本，分別是基礎(chǔ)的N3、成本優(yōu)化的 N3E、性能提升的 N3P 和高壓耐受的N3X。其中，N3E 和 N3P 都是基于 N3 的光學(xué)縮小版，可以降低復(fù)雜度和成本，同時(shí)提高性能和晶體管密度。而 N3X 則是專為 HPC 領(lǐng)域設(shè)計(jì)的工藝，可以支持更高的電壓和頻率，從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的計(jì)算能力。
雖然臺(tái)積電的2nm目前還沒有盈利，但是臺(tái)積電透露客戶對(duì)2nm的興趣和參與度很高，這也代表著在新一輪的產(chǎn)業(yè)風(fēng)潮中臺(tái)積電將繼續(xù)吃到頭波紅利。據(jù)悉，臺(tái)積電N2工藝將在今年三季度進(jìn)入試產(chǎn)階段，并于2025年第四季度進(jìn)入大批量生產(chǎn)。臺(tái)積電表示，預(yù)計(jì)N2在前兩年的新項(xiàng)目數(shù)量將高于N3和N5同期，擴(kuò)展速度與N3相似，收入貢獻(xiàn)爬坡與毛利率爬坡比N3更快。而性能增強(qiáng)型N2P和電壓增強(qiáng)型N2X也將于2026年問世，幾乎所有AI芯片公司都有興趣。
而更為長遠(yuǎn)的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)則是2027年以后的A16（1.6nm）。據(jù)悉，臺(tái)積電的A16將成為首個(gè)“埃級(jí)”工藝節(jié)點(diǎn)，首次引入背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)（BSPDN），同時(shí)結(jié)合GAAFETnm片晶體管，標(biāo)志著半導(dǎo)體制造進(jìn)入一個(gè)新的時(shí)代。
HPC高性能計(jì)算已穩(wěn)定成為臺(tái)積電業(yè)績核心
目前HPC高性能計(jì)算已經(jīng)取代手機(jī)業(yè)務(wù)成為支撐臺(tái)積電業(yè)績?cè)鲩L的核心，二季度HPC高性能計(jì)算訂單營收過半占比52%，環(huán)比增長6%，而智能手機(jī)業(yè)務(wù)收入占比則下滑5%至33%。此外，IoT物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)、汽車、DCE數(shù)字消費(fèi)電子和其他領(lǐng)域的收入分別占臺(tái)積電總收入的6%、5%、2%和2%。
從業(yè)務(wù)增長動(dòng)能看，DCE數(shù)字消費(fèi)電子業(yè)務(wù)營收環(huán)比增長20%，也顯示出較強(qiáng)的增長動(dòng)能。據(jù)悉該業(yè)務(wù)包含包含T-Con、PMIC、WiFi芯片等，主要面向機(jī)頂盒、智能電視等應(yīng)用場景。行業(yè)人士表示，在臺(tái)積電的DCE業(yè)務(wù)中曾提及到AI-enabled smart devices，推測可能是這部分與AI業(yè)務(wù)相關(guān)。另外，二季度智能手機(jī)業(yè)務(wù)依然不見明顯回暖，營收環(huán)比下降1%。
業(yè)績說明會(huì)中，臺(tái)積電公布今年資本支出估落在300億美元至320億美元，較4月中旬法說會(huì)預(yù)期280億美元至320億美元區(qū)間，小幅上調(diào)。臺(tái)積電財(cái)務(wù)長暨發(fā)言人黃仁昭資深副總經(jīng)理重申，臺(tái)積電每年資本支出規(guī)劃，均以客戶未來數(shù)年需求及市場成長為考量，今年客戶對(duì)人工智能AI需求持續(xù)強(qiáng)勁，估計(jì)今年資本支出約70%至80%用在先進(jìn)制程技術(shù)，10%至20%用在特殊制程技術(shù)，10%用在先進(jìn)封裝測試和光罩生產(chǎn)等。
美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月8日是臺(tái)積電市值首次突破1萬億美元的歷史節(jié)點(diǎn)，當(dāng)日臺(tái)積電美股股價(jià)盤中一度上漲超過4%，創(chuàng)下歷史新高，其躋身全球最有價(jià)值公司的俱樂部，超越特斯拉成為全球市值排名第七的科技巨頭。今年以來，臺(tái)積電美股股價(jià)累計(jì)已上漲80.75%。業(yè)界認(rèn)為，AI應(yīng)用需求快速增長，臺(tái)積電先進(jìn)制程芯片市場需求強(qiáng)勁，以上因素推動(dòng)臺(tái)積電股價(jià)與市值實(shí)現(xiàn)成長。
CoWoS先進(jìn)封裝、扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）成為未來投資重點(diǎn)
先進(jìn)封裝也是臺(tái)積電近幾年的布局重點(diǎn)。據(jù)悉，未來臺(tái)積電的CoWoS先進(jìn)封裝、扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）值得關(guān)注。
臺(tái)積電表示，CoWoS封裝產(chǎn)能今年翻倍，而2025年CoWoS封裝產(chǎn)能還將較2024年再翻倍，供給吃緊會(huì)緩解，2026年供需會(huì)逐漸平衡。并表示，先進(jìn)封裝毛利率過去遠(yuǎn)低于公司平均水平，現(xiàn)在已經(jīng)接近公司平均水平。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)未來只會(huì)專注在最先進(jìn)的后道封測技術(shù)，主要服務(wù)于客戶前沿產(chǎn)品。
對(duì)于臺(tái)積電在CoWoS以外的其他先進(jìn)封裝技術(shù)布局，魏哲家表示，臺(tái)積電持續(xù)研發(fā)扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）技術(shù)，預(yù)期3年后技術(shù)可成熟，屆時(shí)臺(tái)積電可準(zhǔn)備就緒。
據(jù)全球市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢指出，臺(tái)積電在2016年開發(fā)名為InFO的扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)，并應(yīng)用在蘋果iPhone 7的A10處理器，吸引封測業(yè)者跟進(jìn)發(fā)展FOWLP及FOPLP技術(shù)。在FOPLP封裝技術(shù)導(dǎo)入上，三種主要模式包括「OSAT業(yè)者將消費(fèi)性IC封裝方式自傳統(tǒng)封裝轉(zhuǎn)換至FOPLP」；「專業(yè)晶圓代工廠（foundry）、OSAT業(yè)者封裝AI GPU，將2.5D封裝模式自晶圓級(jí)(wafer level)轉(zhuǎn)換至面板級(jí)(panel level)」；「面板業(yè)者封裝消費(fèi)性IC」等三大方向。
從OSAT業(yè)者封裝消費(fèi)性IC，自傳統(tǒng)封裝轉(zhuǎn)換至FOPLP發(fā)展的合作案例來看，以AMD與PTI (力成)、ASE (日月光)洽談PC CPU產(chǎn)品，高通公司(Qualcomm)與ASE洽談電源管理芯片 (PMIC)產(chǎn)品為主。若是觀察foundry、OSAT業(yè)者封裝AI GPU，將2.5D封裝模式自wafer level轉(zhuǎn)換至panel level合作模式，則是以AMD及英偉達(dá)與臺(tái)積電、SPIL (矽品科技)洽談AI GPU產(chǎn)品，在既有的2.5D模式下自wafer level轉(zhuǎn)換至panel level，并放大芯片封裝尺寸最受到矚目。以面板業(yè)者封裝消費(fèi)性IC為發(fā)展方向的則以恩智浦半導(dǎo)體（NXP）及意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）與Innolux (群創(chuàng)光電)洽談PMIC產(chǎn)品為代表。
（二）臺(tái)積電提出晶圓代工2.0新業(yè)態(tài)
1987年張忠謀創(chuàng)建臺(tái)積電，開創(chuàng)出晶圓專業(yè)代工模式可稱為晶圓代工1.0。臺(tái)積電表示專注生產(chǎn)由客戶設(shè)計(jì)的芯片，本身并不設(shè)計(jì)、生產(chǎn)或銷售自有品牌產(chǎn)品，這也確保了臺(tái)積電不與客戶直接競爭的關(guān)系，也因此更能獲得客戶完全的信任。2011年，臺(tái)積電搶先攻克28nm制程工藝后，便按下了加速鍵同時(shí)在先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝上躍進(jìn)，發(fā)展至今日，其占據(jù)全球晶圓代工市場61.7％市場份額（全球市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢2024年第一季全球前十大晶圓代工排名）。
臺(tái)積電表示，由于IDM廠紛紛搶進(jìn)晶圓代工領(lǐng)域，使得相關(guān)界線趨于模糊，因此將封裝、測試、光罩等邏輯IC制造相關(guān)領(lǐng)域納入晶圓代工2.0產(chǎn)業(yè)。根據(jù)臺(tái)積電新定義，2023年晶圓代工2.0產(chǎn)業(yè)規(guī)模近2500億美元，臺(tái)積電市占率約28%，預(yù)估2024年全球晶圓代工2.0產(chǎn)業(yè)規(guī)模將增長近10%。
這表明，當(dāng)代晶圓代工概念超越“晶圓制造生產(chǎn)代工”范疇，整個(gè)生產(chǎn)過程涵蓋了封裝、測試、光罩制作及其他部分。比如，在AI浪潮下，臺(tái)積電所生產(chǎn)的HPC高性能計(jì)算業(yè)務(wù)不僅僅提供代工服務(wù)，還提供光罩制作、先進(jìn)封裝以及測試等服務(wù)。而從行業(yè)視角看，傳統(tǒng)的IDM模式是指從設(shè)計(jì)、制造、封裝測試到銷售自有品牌IC都一手包辦的半導(dǎo)體垂直整合型公司，但是部分企業(yè)現(xiàn)在也開始對(duì)外提供晶圓代工服務(wù)，如英特爾。
而從先進(jìn)封裝競爭格局看，目前全球先進(jìn)封裝市場的競爭選手包括了IDM（半導(dǎo)體垂直整合制造商）、Foundry（晶圓代工廠）以及委外封測服務(wù)（Outsourced Semiconductor Assembly and Test，簡稱OSAT）供應(yīng)商等，主要頭部玩家包括日月光、安靠、長電科技、臺(tái)積電、三星及英特爾，6家大廠合計(jì)占據(jù)整個(gè)先進(jìn)封裝市場近80％市場份額。隨著摩爾定律發(fā)展受限，先進(jìn)封裝在推進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)過程中發(fā)揮著越來越重要的作用。因此以臺(tái)積電、三星、英特爾為代表的先進(jìn)企業(yè)勢(shì)必在先進(jìn)封裝中一較高下。
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