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作者：豐寧
盡管摩爾定律的增速已顯著放緩，但工藝節(jié)點(diǎn)依然穩(wěn)步向前，現(xiàn)已演進(jìn)至2nm甚至1nm以下。而在最新的邏輯節(jié)點(diǎn)中，傳統(tǒng)器件架構(gòu)已不具優(yōu)勢(shì)，而互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CFET)則被看做“成大事者”，成為埃米時(shí)代（1埃米等于0.1納米）的主流架構(gòu)。那么CFET究竟有著怎樣的魅力？
?01、為什么需要CFET？
CFET，作為一種創(chuàng)新的CMOS工藝，以其晶體管垂直堆疊的獨(dú)特方式，突破了傳統(tǒng)平面工藝、FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）以及GAAFET（ 環(huán)繞式柵極技術(shù)晶體管）的平面局限。
至于為何CFET架構(gòu)備受矚目？讓我們一窺FinFET與GAAFET在當(dāng)前技術(shù)挑戰(zhàn)下所遭遇的瓶頸，便不難理解CFET為何值得深入研究。
先看FinFET。FinFET是一種新的互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，該項(xiàng)技術(shù)的發(fā)明人是加州大學(xué)伯克利分校的胡正明教授。2011年，英特爾率先將FinFET技術(shù)商業(yè)化，并應(yīng)用于22nm制程，顯著提升性能與降低功耗。隨后，臺(tái)積電、三星等廠商跟進(jìn)，F(xiàn)inFET技術(shù)大放異彩。之后為了提高晶體管性能并進(jìn)一步減小面積，F(xiàn)inFET體系架構(gòu)也進(jìn)行了持續(xù)的改進(jìn)。自16/14nm起，F(xiàn)inFET成為主流選擇，推動(dòng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展至3nm節(jié)點(diǎn)。
然而，實(shí)際上自進(jìn)入5nm后，F(xiàn)inFET就開始面臨鰭片穩(wěn)定性、柵極寬度限制及靜電問題等挑戰(zhàn)。修修補(bǔ)補(bǔ)的FinFET終將力不從心，新的架構(gòu)因此呼之欲出。
下面接棒的選手便是GAAFET。GAAFET即環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其架構(gòu)本質(zhì)就是把FinFET的Fin旋轉(zhuǎn)90°，然后把多個(gè)Fin橫向疊起來，這些Fin都穿過gate。GAAFET有兩種結(jié)構(gòu)，一種是使用納米線（Nanowire）作為電子晶體管鰭片的GAAFET；另一種則是以納米片（Nanosheet）形式出現(xiàn)的具有較厚鰭片的多橋通道場(chǎng)效應(yīng)管MBCFET。
據(jù)悉，三星在3nm制程節(jié)點(diǎn)就已經(jīng)導(dǎo)入GAAFET架構(gòu)，而臺(tái)積電將在2nm制程節(jié)點(diǎn)首度應(yīng)用GAAFET晶體管，英特爾此前表示將在Intel 20A工藝上，引入采用GAA設(shè)計(jì)的RibbonFET晶體管架構(gòu)。
隨著GAAFET晶體管的gate（門）與channel（溝道）的接觸面積變大，而且對(duì)于FinFET而言，F(xiàn)in的寬度是個(gè)定值；但對(duì)GAAFET而言，sheet（薄片）本身的寬度與有效溝道寬度是靈活可變的。更寬的sheet自然能夠達(dá)成更高的驅(qū)動(dòng)電流和性能，更窄的sheet則占用更小的面積自然可以提供比FinFET 更好的靜電特性，滿足某些柵極寬度的需求。
在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，GAAFET 的溝道控制能力得到強(qiáng)化，尺寸進(jìn)一步微縮更有可能性，且新的結(jié)構(gòu)所需的生產(chǎn)工藝應(yīng)該與鰭式晶體管相似，可以繼續(xù)使用現(xiàn)有的設(shè)備以及技術(shù)成果。不過，GAAFET雖然已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了在3nm甚至2nm工藝中的應(yīng)用，但進(jìn)一步縮小到1nm以下將面臨巨大的工藝挑戰(zhàn)。這時(shí)，業(yè)界的科技巨頭們又開始紛紛調(diào)整策略，將他們的目光和精力聚焦在了CFET這一新興技術(shù)上。
?02、CFET大展身手
CFET將不同導(dǎo)電溝道類型（N-FET和P-FET）的GAA器件在垂直方向進(jìn)行高密度三維單片集成。相較于現(xiàn)有主流FinFET與GAAFET晶體管集成電路工藝，CFET突破了傳統(tǒng)N/P-FET共平面布局間距的尺寸限制，可將集成電路中邏輯標(biāo)準(zhǔn)單元尺度微縮到4-T（Track）高度，同時(shí)將減少SRAM單元面積40%以上。在追求極致性能與密度的未來科技領(lǐng)域，CFET無疑將成為基礎(chǔ)晶體管器件創(chuàng)新架構(gòu)的有力候選者。在2023的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議上，臺(tái)積電發(fā)布了一篇標(biāo)題《面向未來邏輯技術(shù)擴(kuò)展的 48 納米柵極間距的互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (CFET) 》的論文，其器件的與眾不同之處在于采用了一種新方法，在頂部和底部器件之間形成一個(gè)介電層，以保持它們之間的隔離。納米片一般由硅層和硅鍺層交替形成。在工藝的適當(dāng)步驟中，硅鍺特定蝕刻方法會(huì)去除這些材料，從而釋放出硅納米線。臺(tái)積電使用硅鍺層將兩個(gè)器件隔離開來，因?yàn)橹拦桄N層的蝕刻速度比其他硅鍺層快，所以使用了鍺含量特別高的硅鍺層。這樣，隔離層就可以在釋放硅納米線之前分幾步制作完成。
近日，臺(tái)積電資深副總經(jīng)理暨副共同首席運(yùn)營(yíng)官?gòu)垥詮?qiáng)在2024技術(shù)論壇上宣布，臺(tái)積電已成功集成不同晶體管架構(gòu)，在實(shí)驗(yàn)室做出CFET。張曉強(qiáng)指出，CFET預(yù)計(jì)將被導(dǎo)入下一代的先進(jìn)邏輯工藝。CFET是2nm工藝采用的納米片場(chǎng)效應(yīng)晶體管架構(gòu)后，下一個(gè)全新的晶體管架構(gòu)。不僅是臺(tái)積電，還包括三星、英特爾在內(nèi)的芯片三巨頭，都對(duì)CFET的開發(fā)給予高度重視。
英特爾是三家中最早演示CFET的，早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本，隨后在2023的IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議上，圍繞 CFET 制造的最簡(jiǎn)單電路（inverter）做了多項(xiàng)改進(jìn)。英特爾組件研究小組首席工程師Marko Radosavljevic表示：“inverter是在單個(gè)鰭片上完成的。在最大縮放比例下，它將是普通CMOS逆變器尺寸的50%?！贝送猓⑻貭栠€通過將每個(gè)器件的納米片數(shù)量從2個(gè)增加到3個(gè)，將兩個(gè)器件之間的間距從50 nm減小到30 nm。
三星對(duì)CFET的開發(fā)也很積極。在去年的IEEE會(huì)議上，三星演示了48nm和45nm接觸式多晶硅間距 (CPP) 的結(jié)果。不過這些結(jié)果是針對(duì)單個(gè)器件，而不是完整的逆變器。雖然三星的兩個(gè)原型 CFET 中較小的一款性能有所下降，但幅度不大，該公司的研究人員相信制造工藝優(yōu)化將解決這一問題。三星成功的關(guān)鍵在于能夠?qū)Χ询B pFET 和 nFET 器件的源極和漏極進(jìn)行電氣隔離。如果沒有足夠的隔離，這種被三星稱為三維堆疊場(chǎng)效應(yīng)晶體管（3DSFET）的器件就會(huì)泄漏電流。實(shí)現(xiàn)這種隔離的關(guān)鍵步驟是將涉及濕化學(xué)品的蝕刻步驟換成一種新型的干式蝕刻。這使得良好器件的產(chǎn)量提高了 80%。與英特爾一樣，三星也從硅片下方接觸器件底部，以節(jié)省空間。不過，這家韓國(guó)芯片制造商與美國(guó)公司不同的是，在每個(gè)配對(duì)器件中只使用了1片納米片，而不是英特爾的3片。據(jù)其研究人員稱，增加納米片的數(shù)量將提高 CFET 的性能。
當(dāng)然，除芯片三巨頭之外，其他國(guó)家和地區(qū)的企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)也在積極參與CFET的開發(fā)與研制。早在2000年前后北京大學(xué)就已經(jīng)提出了三維堆疊互補(bǔ)晶體管的概念，并在2004年研發(fā)完成堆疊互補(bǔ)晶體管的雛形，發(fā)表了論文《A stacked CMOS technology on SOI substrate》同時(shí)還以第一專利權(quán)人在國(guó)內(nèi)申請(qǐng)了專利《一種位于SOI襯底上的CMOS電路結(jié)構(gòu)及其制作方法》。只是這一概念在當(dāng)時(shí)太過超前，未引起太多關(guān)注。近幾年來，該論文及其后續(xù)工作已被國(guó)際發(fā)明專利引用數(shù)百次且受到產(chǎn)業(yè)巨頭的推崇，IEDM 2021大會(huì)中英特爾的有關(guān)晶體管堆疊技術(shù)的邀請(qǐng)報(bào)告《Opportunities in 3-D stacked CMOS transistors》中就引用了上述論文，且是引用文獻(xiàn)中時(shí)間最早的一篇；臺(tái)積電在VLSI 2021的報(bào)告《CMOS Device Technology for the Next Decade》中指出，北京大學(xué)的3D Stacked CMOS晶體管是業(yè)界第一個(gè)堆疊互補(bǔ)晶體管，比臺(tái)積電和英特爾要早15年。
在IEDM 2021上，北京大學(xué)集成電路學(xué)院發(fā)表題為《Demonstration of Vertically-Stacked CVD Monolayer Channels：MoS2?Nanosheets GAA-FET with Ion>700μA/μm and MoS2/WSe2?CFET”》的論文，展示了基于單層二硫化鉬的堆疊圍柵納米片器件，實(shí)現(xiàn)了開態(tài)電流超過400μA/μm（@Vd=1V）或700μA/μm（@Vd=2V），該結(jié)果遠(yuǎn)超同類器件的文獻(xiàn)報(bào)道水平；并通過上百個(gè)器件的統(tǒng)計(jì)分析，顯示了該器件由三維集成和尺寸縮小帶來的性能提升；同時(shí)，首次報(bào)道了亞1納米溝道厚度的二硫化鉬/二硒化鎢CFET器件，實(shí)現(xiàn)了反相器邏輯功能。
中科院微電子所在CFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真研究方面也取得了一定進(jìn)展。2022年7月中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心殷華湘/吳振華研究團(tuán)隊(duì)利用業(yè)界主流的Design-Technology?Co-optimization（DTCO）方法全面探索了CFET的器件架構(gòu)優(yōu)勢(shì)，提出了新型混合溝道CFET（Hybrid?Channel?Complementary?FET，HC-CFET）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和集成方案。該結(jié)構(gòu)能夠在單一襯底上，不借助晶圓鍵合等混合晶向技術(shù)，利用SiNx與SiO2的高刻蝕選擇比，通過分步溝道形貌刻蝕，實(shí)現(xiàn)對(duì)N-FET和P-FET首選高電子與空穴遷移率導(dǎo)電溝道的共同優(yōu)化，即使得N-FET具有(100)溝道表面晶向，P-FET具有(110)溝道表面晶向，從而在同等投影平面下獲得最佳的器件與電路性能。該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與集成方案的可行性已通過Virtual-FAB模擬仿真驗(yàn)證。進(jìn)一步通過精確數(shù)值求解預(yù)測(cè)了全部寄生參數(shù)，對(duì)比了不同CFET架構(gòu)下的17級(jí)環(huán)形振蕩器和SRAM單元性能。
結(jié)果表明，相較于常規(guī)垂直集成Fin和垂直集成納米片的CFET結(jié)構(gòu)（MS-CFET和MB-CFET），新型HC-CFET具有溝道晶向與空間布局優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出更高的工作頻率以及更優(yōu)的噪聲容限窗口，以及在高度微縮的高性能CMOS集成電路應(yīng)用上的巨大潛力。該成果以“Investigation?of?Novel?Hybrid?Channel?Complementary?FET?Scaling?Beyond?3-nm?Node?From?Device?to?Circuit”為題發(fā)表在《電氣和電子工程師協(xié)會(huì)電子器件學(xué)報(bào)》期刊上（IEEE?Transactions?on?Electron?Devices?69,?3581?(2022),?DOI:?10.1109/TED.2022.3176843）。
2022年12月Nature Electronics發(fā)表了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院題為“Heterogeneous Complementary Field-effect Transistors Based on Silicon and Molybdenum Disulfide”的論文，團(tuán)隊(duì)將新型二維原子晶體引入傳統(tǒng)的硅基芯片制造流程，實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)異質(zhì)CFET技術(shù)。相比于硅材料，二維原子晶體的原子層精度使其在小尺寸器件中具有優(yōu)越的短溝道控制能力。利用硅基集成電路的標(biāo)準(zhǔn)后端工藝，將新型二維材料MoS2三維堆疊在傳統(tǒng)的硅基芯片上，利用兩者高度匹配的物理特性，形成p型硅-n型MoS2的異質(zhì)CFET結(jié)構(gòu)。在相同的工藝節(jié)點(diǎn)下將集成電路的集成密度翻倍，并獲得了優(yōu)越的器件性能。
?03、1nm何時(shí)到來？
Tom's Hardware 報(bào)道，英特爾在 IFS Direct Connect 大會(huì)上的一次閉門活動(dòng)上確認(rèn)，按目前計(jì)劃，14A 節(jié)點(diǎn)的“有意義”規(guī)模量產(chǎn)將落在 2026 年；而暫未正式公布的下一個(gè)制程節(jié)點(diǎn) 10A 預(yù)期于 2027 年底投產(chǎn)。
臺(tái)積電日前在2023年IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）上，發(fā)布進(jìn)軍至1nm制程的產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖。根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電將并行推動(dòng)3D封裝和單芯片封裝的技術(shù)路徑的發(fā)展。預(yù)計(jì)在2025年，臺(tái)積電將完成N2和N2P節(jié)點(diǎn)，使得采用3D封裝的芯片晶體管數(shù)量超過5000億個(gè)，而采用傳統(tǒng)封裝技術(shù)的芯片晶體管數(shù)量超過1000億個(gè)。然后，臺(tái)積電計(jì)劃在2027年達(dá)到A14節(jié)點(diǎn)，并在2030年達(dá)到A10節(jié)點(diǎn)，即1nm制程芯片。屆時(shí)，采用臺(tái)積電3D封裝技術(shù)的芯片晶體管數(shù)量將超過1萬億個(gè)，而采用傳統(tǒng)封裝技術(shù)的芯片晶體管數(shù)量將超過2000億個(gè)。
IBM一直是半導(dǎo)體技術(shù)革新的領(lǐng)跑者。2021年，IBM宣布推出全球首款2nm芯片。與此同時(shí)，IBM也早早開始對(duì)1nm技術(shù)進(jìn)行研究。在2022年末的 IEDM 會(huì)議上，IBM展示了其為通向1nm及以上準(zhǔn)備的技術(shù)：互連3.0和VTFET。
2022年，日本芯片制造商Rapidus、東京大學(xué)將與法國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)Leti合作，共同致力于開發(fā)1nm制程半導(dǎo)體。這種跨國(guó)合作模式為技術(shù)創(chuàng)新提供了新的視角和資源，有望加速1nm技術(shù)的研發(fā)進(jìn)程。2023年5月，Imec公布了其1nm以下晶體管的路線圖，展示了未來幾年內(nèi)實(shí)現(xiàn)1nm制程的可能路徑和技術(shù)難點(diǎn)。Imec正致力于開發(fā)遠(yuǎn)超現(xiàn)有技術(shù)極限的產(chǎn)品。
隨后在6月，IMEC還與?ASML達(dá)成協(xié)議，雙方將在開發(fā)最先進(jìn)高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻試驗(yàn)線的下一階段加強(qiáng)合作，為使用半導(dǎo)體技術(shù)的行業(yè)提供原型設(shè)計(jì)平臺(tái)和未開發(fā)的未來機(jī)遇。IMEC CMOS總監(jiān)Naoto Horiguchi在國(guó)際電子器件會(huì)議演講時(shí)表示：“僅使用GAA來縮放CMOS器件是非常困難的。
借助 CFET，我們可以繼續(xù)器件擴(kuò)展，然后可以將其與Chiplet和先進(jìn)封裝等其他技術(shù)相結(jié)合，以提高芯片性能。CFET正在為器件的持續(xù)擴(kuò)展開辟一條道路?！盜MEC 預(yù)計(jì)，CFET架構(gòu)將在2032年左右超越1nm節(jié)點(diǎn)。
然而，值得注意的是，CFET面臨的問題還有很多，特別是未來量產(chǎn)過程中，CFET的制造將更加困難。一方面CFET架構(gòu)比GAA架構(gòu)的3D結(jié)構(gòu)更高，結(jié)構(gòu)縱橫比的增加將帶來更大的制造挑戰(zhàn)；另一方面，CFET需要非常高的摻雜劑激活，需要非常低的接觸電阻率，需要為CFET提供特殊的高k/金屬柵極，而且這些都必須在非常高的堆疊結(jié)構(gòu)中完成。
臺(tái)積電表示，CFET架構(gòu)的重大挑戰(zhàn)可能會(huì)導(dǎo)致工藝復(fù)雜性和成本增加。“為了克服這些挑戰(zhàn)，必須仔細(xì)選擇集成方案，以降低工藝復(fù)雜性，并最大限度地減少對(duì)新材料和工藝能力的要求?！迸_(tái)積電器件架構(gòu)開拓總監(jiān)Szuya Liao表示，“參與早期 EDA/流程工具開發(fā)，為重大設(shè)計(jì)變更做好準(zhǔn)備也很重要?！?/p>
下載ECAD模型
