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受市場需求復(fù)蘇以及地緣政治等因素影響，當(dāng)前各國政府和地區(qū)都在加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與布局。其中美國政府提出了《芯片與科學(xué)法案》，希望通過資金補助鞏固其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。
自2024年以來，英特爾、臺積電、三星、格芯等半導(dǎo)體大廠都已宣布獲得補貼。而近日，有消息稱美國存儲芯片制造大廠美光科技也將獲得逾60億美元的補貼。
如今，該消息得到了美光科技的證實。
61億美元美光確認(rèn)獲高額補貼
當(dāng)?shù)貢r間4月25日，美光科技正式在其官網(wǎng)宣布，獲得61億美元政府補助。
美光在新聞稿中指出，已經(jīng)與美國政府簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》而獲得美國政府提供的61億美元資金補助，以支持愛達(dá)荷州和紐約州計劃的尖端內(nèi)存制造。
據(jù)悉，除了61億美元資金補助，美光還將受益于美國財政部的投資稅收抵免，該稅收抵免將為美光合格的資本投資提供25%的抵免。此外，紐約州政府也將為美光提供高達(dá)55億美元的激勵措施。
這些撥款以及額外的州和地方激勵措施將支持美光在愛達(dá)荷州建設(shè)一個領(lǐng)先的DRAM存儲器制造工廠，并在紐約州克萊鎮(zhèn)建設(shè)兩座先進(jìn)DRAM存儲器制造工廠。新聞稿表示，美國政府的補貼將支持美光計劃到2030年為美國國內(nèi)領(lǐng)先的存儲器制造投資約500億美元的總資本支出。
美光表示，500億美元的投資金額也是美光未來20年在紐約和愛達(dá)荷州投資至多1250億美元、創(chuàng)造上萬個就業(yè)崗位計劃的第一步。
促進(jìn)存儲芯片生產(chǎn)美光建設(shè)5座工廠
此前，美光已宣布將在紐約州建設(shè)4座工廠，并在其總部所在地愛達(dá)荷州博伊西市建設(shè)1座工廠。
2022年10月，美光科技宣布，為促進(jìn)存儲芯片生產(chǎn)，計劃未來20年內(nèi)投資1000億美元在紐約州北部錫拉丘茲地區(qū)新建4座工廠。該戰(zhàn)略是美光未來十年將美國DRAM產(chǎn)量提高到該公司全球產(chǎn)量的40%戰(zhàn)略的一部分。
美光表示，紐約項目正在進(jìn)行初步設(shè)計、實地研究和包括NEPA在內(nèi)的許可申請。第一座晶圓廠的建設(shè)預(yù)計將于2025年開始，并于2028年投產(chǎn)并貢獻(xiàn)產(chǎn)量，并根據(jù)未來十年的市場需求而增加。
而位于愛達(dá)荷州的工廠已于2023年10月開工。美光表示，該廠預(yù)計將于 2025年上線并投入運營，2026年正式開始DRAM的生產(chǎn)，DRAM產(chǎn)量也將隨著行業(yè)需求的增長而不斷增加。
美光預(yù)計，到2035年其愛達(dá)荷工廠和紐約的兩個工廠在先進(jìn)內(nèi)存制造領(lǐng)域的份額將從目前的不到2%增加到約10%。
對于上述建廠計劃，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra上個月表示，這些計劃“要求美光獲得足夠的芯片補貼、投資稅收抵免和當(dāng)?shù)丶畲胧越鉀Q與海外建廠相比的成本差異。”
美光存儲業(yè)績向好
當(dāng)前，手機、個人電腦以及服務(wù)器市場需求逐步復(fù)蘇，加上智能汽車、人工智能AI等應(yīng)用快速發(fā)展，在大數(shù)據(jù)中心、云計算等市場推動下，存儲芯片需求出現(xiàn)回溫跡象，而美光業(yè)績也逐漸向好。
其中受惠于備貨動能回溫，以及三大原廠控產(chǎn)效益顯現(xiàn)，主流產(chǎn)品的合約價格走揚，帶動2023年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達(dá)174.6億美元，季增29.6%。其中，美光作為全球第三大DRAM內(nèi)存廠商，當(dāng)季由于量價齊揚，出貨位元及平均銷售單價均季增4~6%，DDR5與HBM比重相對低，故營收成長幅度較為和緩，第四季營收達(dá)33.5億美元，季增8.9%。
NAND Flash方面，受惠于終端需求因年終促銷回溫，加上零部件市場因追價而擴大訂單動能，2023年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收達(dá)114.9億美元，季增24.5%。其中，美光貢獻(xiàn)營收11.4億美元，季減1.1%。美光認(rèn)為今年NAND Flash需求位元須年增15~20%，且要加上產(chǎn)能持續(xù)調(diào)控，在供給位元與需求位元的平衡下，產(chǎn)業(yè)才能有機會出現(xiàn)獲利可能。
此外，根據(jù)美光3月公布的最新財報，其第二財季DRAM營收為42億美元，占總營收的71%，環(huán)比增長21%。NAND營收為16億美元，占美光總營收的27%，環(huán)比增長27%。
多家芯片制造商獲補貼，美國逾10座晶圓廠在路上
2022年，為重振美國半導(dǎo)體生產(chǎn)，美國政府正式通過了《芯片與科學(xué)法案》，其中包括向半導(dǎo)體行業(yè)提供約527億美元的資金支持，為企業(yè)提供價值240億美元的投資稅抵免等。
而截至目前，除了美光的61億美元之外，美國政府此前已確定向臺積電、英特爾、格芯、三星等芯片制造商發(fā)放數(shù)百億美元的補貼。從數(shù)量上來看，上述廠商在美國建設(shè)（進(jìn)行中和計劃）的晶圓廠已超10座。
4月15日，美國政府與韓國三星達(dá)成協(xié)議，將向該公司提供高達(dá)64億美元的直接資助，用于在得克薩斯州建立一個半導(dǎo)體生態(tài)集群，包括兩家生產(chǎn)4納米和2納米芯片的工廠。此外，還將建設(shè)一家專門負(fù)責(zé)研發(fā)的工廠，以及一個芯片組件封裝設(shè)施。
4月8日，美國商務(wù)部和臺積電簽署了一份不具約束力的初步備忘錄（PMT），基于《芯片與科學(xué)法案》，臺積電將獲得最高可達(dá)66億美元的直接補助。此外，臺積電還宣布，計劃在美國亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠。臺積電表示，其第三座晶圓廠將使用2納米或更先進(jìn)的工藝生產(chǎn)芯片，并計劃在2028年開始生產(chǎn)。
3月20日，美國商務(wù)部與英特爾達(dá)成一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），前者向英特爾提供至多85億美元的直接資金和最高110億美元貸款以擴大其高端芯片制造產(chǎn)能。按照計劃，英特爾將在美國四個州投入1000億美元，用于建設(shè)新工廠及升級現(xiàn)有工廠。包括在亞利桑那州和俄亥俄州大型工廠生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體，以及俄勒岡州和新墨西哥州小型工廠的設(shè)備研發(fā)和先進(jìn)封裝項目。
2月19日，美國政府表示，將向格芯提供15億美元資金，以擴大半導(dǎo)體生產(chǎn)。根據(jù)格芯與美國商務(wù)部達(dá)成的初步協(xié)議，該公司將在紐約州馬爾他興建新廠，并擴大當(dāng)?shù)嘏c佛蒙特州伯靈頓既有的生產(chǎn)規(guī)模。
事實上，自2023年2月開放資助申請以來，美國CHIPS計劃辦公室（The CHIPS Program Office）已收到630多份意向書和180份項目申請。由于資金有限且申請數(shù)量巨大，CHIPS項目辦公室已近日宣布，計劃關(guān)閉半導(dǎo)體制造工廠的資助申請，將關(guān)閉對半導(dǎo)體工廠或晶圓廠的聯(lián)邦資助機會，“直至另行通知”。
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