Vishay推出采用PowerPAK? 1212-F封裝的TrenchFET第五代功率MOSFET

器件采用中央柵極結構3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，提高系統(tǒng)功率密度，改進熱性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導通電阻僅為0.71 mW，導通電阻與柵極電荷乘積，即開關應用中MOSFET關鍵的優(yōu)值系數(shù)（FOM）為42 mW*nC，達到業(yè)內(nèi)先進水平。

日前發(fā)布的器件占位面積與PowerPAK 1212-8S封裝相同，導通電阻降低18%，提高了功率密度，同時源極倒裝技術將熱阻從63°C/W降至56°C/W。此外，SiSD5300DN優(yōu)值系數(shù)比上代器件低35%，從而降低了導通和開關損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應用的能源。

PowerPAK1212-F源極倒裝技術顛倒通常接地焊盤和源極焊盤的位置，擴大接地焊盤面積，提供更有效的散熱路徑，有助于降低工作溫度。同時，PowerPAK 1212-F減小了開關區(qū)范圍，有助于降低跡線噪聲的影響。另外，PowerPAK 1212-F封裝源極焊盤尺寸增加了10倍，從0.36mm2提高到4.13 mm2，從而改進熱性能。PowerPAK1212-F中央柵極結構還簡化了單層PCB基板多器件并聯(lián)的使用。

采用源極倒裝PowerPAK1212-F封裝的SiSD5300DN特別適合二次整流、有源箝位電池管理系統(tǒng)（BMS）、降壓和BLDC轉(zhuǎn)換器、OR-ing FET、電機驅(qū)動器和負載開關等應用。典型終端產(chǎn)品包括焊接設備和電動工具、服務器、邊緣設備、超級計算機、平板電腦、割草機和掃地機以及無線電基站。

器件經(jīng)過100% RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

主要技術規(guī)格表：

SiSD5300DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為26周。