Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設計性能

全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等電動汽車（EV）類應用。

UJ4SC075009B7S 在 25°C 時的典型導通電阻值為 9mΩ，可在高壓、多千瓦車載應用中減少傳導損耗并最大限度地提高效率。其小型表面貼裝封裝可實現(xiàn)自動化裝配流程，降低客戶的制造成本。全新的 750V 系列產(chǎn)品是對 Qorvo 現(xiàn)有的 1200V 和 1700V D2PAK 封裝車用 SiC FET 的補充，打造了完整的產(chǎn)品組合，可滿足 400V 和 800V 電池架構電動汽車的應用需求。

Qorvo 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“這一全新 SiC FET 系列的推出彰顯了我們致力于為電動汽車動力總成設計人員提供先進、高效解決方案的承諾，以助力其應對獨特的車輛動力挑戰(zhàn)?！?這些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 獨特的共源共柵結(jié)構電路配置，將 SiC JFET 與硅基 MOSFET 合并封裝，從而制造出具備寬帶隙開關技術效率優(yōu)勢和硅基 MOSFET 簡單柵極驅(qū)動的器件。SiC FET 的效率取決于傳導損耗；得益于業(yè)界卓越的低導通電阻和體二極管反向壓降，Qorvo 的共源共柵結(jié)構／JFET 方式帶來了更低的傳導損耗。

UJ4SC075009B7S 的主要特性包括：

• 閾值電壓 VG(th)：4.5V（典型值），允許 0 至 15V 驅(qū)動電壓
• 較低的體二極管 VFSD：1.1V
• 最高工作溫度：175°C
• 出色的反向恢復能力：Qrr＝338nC
• 低柵極電荷：QG＝75nC
• 通過汽車電子委員會 AEC-Q101 認證