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板級低噪放和芯片級低噪放的區(qū)別(2)

12小時前
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兩端口放大器噪聲系數(shù),可以用下式表示,要是想知道下式的來歷的話,可以參考文獻(xiàn)[1]或[2],還有[3].

接著用反射系數(shù)來替代導(dǎo)納,并且代入上面的公式,即:

上圖中綠色橢圓形內(nèi)的三個參數(shù),最小噪聲系數(shù)Fmin,最佳源導(dǎo)納對應(yīng)的源反射系數(shù),晶體管的等效噪聲電阻,稱為晶體管的噪聲參數(shù),這三個參數(shù),管子廠家一般會在s2p文件上提供。

而進(jìn)行板級低噪放的設(shè)計,就是基于這三個參數(shù),還有S參數(shù)。

具體步驟,可以參見利用ADS快速設(shè)計低噪放。

總的來說,板級低噪放的設(shè)計步驟可以概括為:

(1) 通過給管子增加偏置電路,或者調(diào)整輸出端電路,或者在源極急加一小電感等措施,提高管子的帶內(nèi)穩(wěn)定度

(2) 調(diào)整輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和輸出匹配網(wǎng)絡(luò),使獲得折中的噪聲和增益性能

(3) 帶外穩(wěn)定性的調(diào)節(jié)

以上,是板級低噪放設(shè)計的一些信息。

看razavi的射頻微電子中的CMOS低噪放設(shè)計一章,其思路,我的理解是這樣的。

razavi每種架構(gòu)的分析,都是基于以下三點的。

(1) 在分析噪聲系數(shù)這一指標(biāo)時,其根據(jù)噪聲系數(shù)的通用定義,給出了LNA相對通用的噪聲系數(shù)。

(2) 在分析輸入回波損耗這一指標(biāo)時,razavi給出了幾點理由,說明LNA的阻抗需要設(shè)計為50ohm。

(3) 另一個就是章節(jié)中每種電路架構(gòu)的計算,還是基于模擬微電子來的。

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