RDL

在AI發(fā)展的浪潮中，一項(xiàng)技術(shù)正在從“幕后”走向“臺(tái)前”，也就是半導(dǎo)體先進(jìn)封裝（advanced packaging）。這項(xiàng)技術(shù)能夠在單個(gè)設(shè)備內(nèi)集成不同功能、制程、尺寸、廠(chǎng)商的芯粒（chiplet），以靈活性強(qiáng)、能效比高、成本經(jīng)濟(jì)的方式打造系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）。因此，越來(lái)越多的AI芯片廠(chǎng)商青睞這項(xiàng)技術(shù)。 英特爾自本世紀(jì)70年代起持續(xù)創(chuàng)新，深耕封裝技術(shù)，積累了超過(guò)50年的豐富經(jīng)驗(yàn)。面向AI時(shí)代，英特爾

封裝中的RDL（Redistribution Layer，重分布層）是集成電路封裝設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要層次，主要用于實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)電氣連接的重新分配，并且在封裝中起到連接芯片和外部引腳之間的橋梁作用。RDL的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)直接影響到封裝的電氣性能、可靠性和制造成本。

學(xué)員問(wèn)：RDL是什么一種什么工藝，有什么作用？需要什么樣的工藝做出來(lái)的？RDL是什么？RDL，全名Redistribution Layer，中文名重布線(xiàn)層。通過(guò)RDL工藝，可以將可以將I/O焊盤(pán)從芯片中心移到邊緣，分布在更寬廣的區(qū)域上。特別適用于需要高I/O數(shù)量的先進(jìn)封裝。

隨著先進(jìn)封裝的深入進(jìn)展，重新分布層（RDL）技術(shù)獲得了巨大的關(guān)注。這種革命性的封裝技術(shù)改變了我們封裝 IC 的方式。RDL 技術(shù)是先進(jìn)封裝異質(zhì)集成的基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用扇出封裝、扇出基板上芯片、扇出層疊封裝、硅光子學(xué)和 2.5D/3D 集成方法，實(shí)現(xiàn)了更小、更快和更高效的芯片設(shè)計(jì)。OSAT、 IDM和代工廠(chǎng)在這條道上的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。如今RDL L/S?擴(kuò)展到最先進(jìn) 2μm及以下。未來(lái)三年將進(jìn)入亞微米，賦能扇出封裝更高效能集成。本文為各位看官匯報(bào)了相關(guān)趨勢(shì)展望與企業(yè)技術(shù)進(jìn)展。

先進(jìn)封裝的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸點(diǎn)）、RDL（重布線(xiàn)層）、Wafer（晶圓）——在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝中扮演了核心角色。它們?cè)诜庋b工藝中各自承擔(dān)的功能，從不同維度推動(dòng)了芯片小型化、集成度和性能的提升。