MRAM

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。收起

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  • 從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求
    在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對(duì)現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲(chǔ)配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對(duì)更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲(chǔ)選項(xiàng)。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運(yùn)行效率等
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  • 這個(gè)30億元的MRAM項(xiàng)目順利封頂，存儲(chǔ)項(xiàng)目多點(diǎn)開花
    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域始終是技術(shù)角逐與產(chǎn)業(yè)革新的關(guān)鍵戰(zhàn)場。近期，致真存儲(chǔ)30億元MRAM項(xiàng)目順利封頂，行業(yè)內(nèi)多個(gè)存儲(chǔ)項(xiàng)目你追我趕，多點(diǎn)開花。華為在存儲(chǔ)設(shè)備采購項(xiàng)目中標(biāo)，晶存科技穩(wěn)步擴(kuò)張，佰維存儲(chǔ)以及美光的項(xiàng)目也即將投產(chǎn)...
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  • MRAM，新興的黑馬
    1956 年，IBM推出世界上第一個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器——RAMAC 305，可以存儲(chǔ) 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺(tái)冰箱，重量超過一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤存儲(chǔ)時(shí)代的開始。
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  • 北京航空航天大學(xué)副校長趙巍勝：MRAM最新進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢
    近日，北京航空航天大學(xué)黨委常委、副校長趙巍勝，分享了MRAM最新進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢。MRAM的前身是磁存儲(chǔ)，其是人工智能時(shí)代的根技術(shù)，如今數(shù)據(jù)中心中有70%以上的數(shù)據(jù)依舊保存其中。十年前就有不少專家認(rèn)為未來磁存儲(chǔ)將被SSD完全取代，然而十年后，磁存儲(chǔ)依舊是最重要的存儲(chǔ)技術(shù)。
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  • 下一個(gè)“黑馬”賽道，MRAM存儲(chǔ)器市場蠢蠢欲動(dòng)
    據(jù)日經(jīng)新聞網(wǎng)報(bào)道，近期晶圓代工廠商力積電（PSMC）傳出將和日本新創(chuàng)企業(yè)合作，目標(biāo)在2029年量產(chǎn)MRAM，將利用力積電計(jì)劃在日本興建的晶圓廠第2期工程產(chǎn)線進(jìn)行量產(chǎn)。根據(jù)報(bào)道，東北大學(xué)長年來持續(xù)研究MRAM，而PowerSpin將提供MRAM IP給力積電，力積電在推動(dòng)研究、試產(chǎn)后，目標(biāo)在2029年開始進(jìn)行量產(chǎn)，期待可應(yīng)用于生成式AI數(shù)據(jù)中心。
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