三代進化,安森美 EliteSiC MOSFET 技術發(fā)展解析
SiC 器件性能表現(xiàn)突出,能實現(xiàn)高功率密度設計,有效應對關鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn),也因此越來越受到電力電子領域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比,SiC 器件的運行頻率更高,有助于實現(xiàn)高功率密度設計、減少散熱、提高能效,并減輕電源轉換器的重量。其獨特的材料特性可以減少開關和導通損耗。與 Si MOSFET 相比,SiC 器件的電介質擊穿強度更高、能量帶隙更寬且熱導率更優(yōu),有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉換器。