IGBT

• 安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本

  安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM) 有助于實(shí)現(xiàn)能效和性能領(lǐng)先行業(yè)的更緊湊變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng) 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場(chǎng)截止（FS7） IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝

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  03/18 15:07

  安森美 IGBT

  
• CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車(chē)逆變器市場(chǎng)

  無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場(chǎng)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT

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  03/11 08:37

  GaN IGBT

  
• 東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

  東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開(kāi)始支持批量供貨。 在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì)產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出

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  03/06 09:07

  MOSFET IGBT

  
• 目標(biāo)20億！4家IGBT/SiC企業(yè)今年?duì)I收將大漲

  2025年開(kāi)年以來(lái)，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)呈現(xiàn)強(qiáng)勁發(fā)展勢(shì)頭。重慶平偉實(shí)業(yè)、樂(lè)山希爾電子、威海新佳電子及安徽陶芯科半導(dǎo)體等企業(yè)通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張和海外市場(chǎng)拓展，加速?zèng)_刺一季度“開(kāi)門(mén)紅”。其中：

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

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  02/26 09:03

  SiC IGBT

  
• 這家IGBT/SiC企業(yè)被收購(gòu)！營(yíng)收超6200萬(wàn)元

  近日，長(zhǎng)城汽車(chē)間接收購(gòu)了一家功率半導(dǎo)體企業(yè)80%股權(quán)。2月21日，長(zhǎng)城汽車(chē)發(fā)布公告稱(chēng)，其間接全資子公司諾博汽車(chē)科技有限公司與穩(wěn)晟科技(天津)有限公司簽訂股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，諾博科技擬使用自有資金人民幣379.215777萬(wàn)元收購(gòu)穩(wěn)晟科技持有的無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司80%的股權(quán)。

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

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  02/25 10:15

  SiC IGBT

  
• IGBT7模塊如何連續(xù)工作在175℃

  近幾年主流芯片制造廠商，包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問(wèn)世了第七代芯片，在芯片大小，芯片厚度，飽和壓降，開(kāi)關(guān)損耗等權(quán)衡之間進(jìn)行了升級(jí)。其中，最高工作結(jié)溫被提及的次數(shù)略多。

  Disciple

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  01/21 11:23

  IGBT IGBT模塊
• IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)指南，拿下！

  大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。

  安森美半導(dǎo)體

  1993

  01/21 11:00

  IGBT 并聯(lián)

  
• 英飛凌IGBT7系列芯片大解析

  上回書(shū)說(shuō)到，IGBT自面世以來(lái)，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門(mén)”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)化的開(kāi)關(guān)性能。

  英飛凌

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  01/16 11:45

  英飛凌 IGBT

  
• 蔚華科與恩艾（艾默生/NI）擴(kuò)大結(jié)盟合作 共建亞太區(qū)首座功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠度驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室

  /美通社/ -- 半導(dǎo)體封裝測(cè)試解決方案專(zhuān)業(yè)品牌蔚華科技（TWSE: 3055）與經(jīng)銷(xiāo)合作伙伴恩艾（艾默生/NI）宣布將共同建置亞太區(qū)首座功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠度驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室，瞄準(zhǔn)亞太地區(qū)功率半導(dǎo)體芯片在車(chē)規(guī)驗(yàn)證的需求，為亞太地區(qū)半導(dǎo)體制造業(yè)客戶就近提供驗(yàn)證服務(wù)，加速客戶研發(fā)及生產(chǎn)制造的進(jìn)程。 [caption id="attachment_1793744" align="alignnone" widt

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  01/14 08:54

  美通社 IGBT

  
• 羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要

  1.前言 近年來(lái)，全球耗電量逐年增加，在工業(yè)和交通運(yùn)輸領(lǐng)域的增長(zhǎng)尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎(chǔ)的火力發(fā)電和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)所產(chǎn)生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴(yán)重的社會(huì)問(wèn)題。因此，為了實(shí)現(xiàn)零碳社會(huì)，努力提高能源利用效率并實(shí)現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。 在這種背景下，羅姆致力于通過(guò)電子技術(shù)解決社會(huì)問(wèn)題，專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)在大功率應(yīng)用中可提升效率的關(guān)鍵——功率半導(dǎo)體，并提供相關(guān)的電源解決方案。本白皮書(shū)將通過(guò)

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  01/14 07:12

  電動(dòng)汽車(chē) SiC

  
• 功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗

  IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類(lèi)變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。

  英飛凌

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  2024/12/07

  IGBT 功率半導(dǎo)體
• 車(chē)載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT

  車(chē)載充電器 (OBC) 解決了電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的一個(gè)重要問(wèn)題。它們將來(lái)自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)充電。隨著每年上市的電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)、架構(gòu)和尺寸越來(lái)越豐富，車(chē)載充電器的實(shí)施也變得越來(lái)越復(fù)雜。

  貿(mào)澤電子

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  2024/11/08

  碳化硅 IGBT

  
• 芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇：公司2026年收入預(yù)計(jì)將超100億

  芯聯(lián)集成四季度能否延續(xù)良好增長(zhǎng)勢(shì)頭？碳化硅業(yè)務(wù)盈利趨勢(shì)如何？模擬IC有哪些客戶？功率模塊業(yè)務(wù)收入增長(zhǎng)前景如何？ 針對(duì)投資者廣泛關(guān)心的話題，10月29日，芯聯(lián)集成舉辦2024年三季度報(bào)電話說(shuō)明會(huì)。公司董事、總經(jīng)理趙奇，財(cái)務(wù)負(fù)責(zé)人、董事會(huì)秘書(shū)王韋，芯聯(lián)動(dòng)力董事長(zhǎng)袁鋒出席說(shuō)明會(huì)。 趙奇在會(huì)上作業(yè)績(jī)發(fā)布報(bào)告，對(duì)2024年前三季度經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)進(jìn)行全面解讀，研判行業(yè)趨勢(shì)，并展望未來(lái)發(fā)展重點(diǎn)。 Q1 芯聯(lián)集成前三季

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  2024/10/30

  IGBT 模擬IC

  
• MSO 4B 示波器為工程師帶來(lái)更多臺(tái)式功率分析工具

  持續(xù)測(cè)量 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能可能是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的任務(wù)。隨著設(shè)計(jì)師努力從硅基電源轉(zhuǎn)換器過(guò)渡到碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體，這些挑戰(zhàn)變得尤為棘手。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等三相系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師面臨更多復(fù)雜問(wèn)題。 值得慶幸的是，他們可以借助最新款臺(tái)式示波器。此款示波器提升了電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的分析處理能力和速度，所用軟件讓工程師能夠進(jìn)行速度更快、更可重復(fù)的測(cè)量。 功能更加

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  2024/10/12

  示波器 IGBT

  
• 芯聯(lián)集成獲廣汽埃安旗下全系車(chē)型定點(diǎn)

  日前，在功率器件、MEMS、連接三大產(chǎn)品方向上擁有領(lǐng)先核心芯片技術(shù)的芯聯(lián)集成（688469.SH）與廣汽埃安簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作戰(zhàn)略協(xié)議。 根據(jù)協(xié)議，芯聯(lián)集成將為廣汽埃安旗下全系新車(chē)型提供高性能的碳化硅（SiC）MOSFET與硅基IGBT芯片和模塊，這些芯片和模塊將被應(yīng)用于廣汽埃安未來(lái)幾年內(nèi)生產(chǎn)的上百萬(wàn)輛新能源汽車(chē)上，以提供更高效、更穩(wěn)定的能源轉(zhuǎn)換和控制，從而提升車(chē)輛的性能和駕駛體驗(yàn)。 通過(guò)與芯聯(lián)集

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  2024/10/09

  SiC MOSFET

  
• 【技術(shù)分享】IGBT的驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算

  對(duì)于IGBT的門(mén)極所需的驅(qū)動(dòng)功率的大小計(jì)算，我們經(jīng)常在拿到IGBT規(guī)格書(shū)的時(shí)候會(huì)根據(jù)其中的Qg或者輸入電容Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一個(gè)大致的計(jì)算,P=Qg*ΔVge*f或者P=Ciss*5*ΔVge2*f，今天我們就來(lái)聊聊IGBT驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算。

  Disciple

  4.2萬(wàn)

  2024/09/30

  電容 驅(qū)動(dòng)器
• 功率半導(dǎo)體各品類(lèi)及下游應(yīng)用市場(chǎng)空間分析

  在功率半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程中，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20 世紀(jì)60-70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20 世紀(jì)70 年代末，平面型功率 MOSFET 發(fā)展起來(lái)。20世紀(jì)80年代后期，溝槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世，半導(dǎo)體功率器件正式進(jìn)入電子應(yīng)用時(shí)代。20世紀(jì)90 年代，超級(jí)結(jié) MOSFET 逐步出現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品的性能限制以

  王兵

  7716

  2024/09/26

  MOSFET IGBT

  
• 談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

  在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而大部分的SiC MOSFET都沒(méi)有標(biāo)出短路能力，即使有，也比較短，例如英飛凌的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱(chēng)短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標(biāo)稱(chēng)短路時(shí)間是2us。為什么IGBT和SiC MOSFET短路能力差這么多，這是SiC天生的缺陷嗎？今天我們簡(jiǎn)單分析一下。

  英飛凌

  1.9萬(wàn)

  2024/09/20

  MOSFET IGBT

  
• 總投資12億元！這一IGBT項(xiàng)目明年投產(chǎn)

  9月6日，據(jù)“內(nèi)江新區(qū)”消息，晶益通（四川）半導(dǎo)體科技有限公司旗下IGBT模塊材料和封測(cè)模組產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目已完成建設(shè)總進(jìn)度的40%，預(yù)計(jì)在明年5月建成。

  行家說(shuō)功率半導(dǎo)體與新能源

  1702

  2024/09/11

  半導(dǎo)體 IGBT

  
• Wolfspeed 推出 2300 V 碳化硅功率模塊，助力清潔能源產(chǎn)業(yè)提升

  Wolfspeed 創(chuàng)新性 2300 V 模塊采用 200 mm 碳化硅技術(shù)，為包括可再生能源、儲(chǔ)能、高容量快速充電基礎(chǔ)設(shè)施在內(nèi)的眾多應(yīng)用帶來(lái)能效提升 Wolfspeed 宣布與地面電站逆變器知名制造商 EPC Power 達(dá)成合作 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布推出最新 2300 V 無(wú)基板碳化硅模塊。這一碳化硅解決方案經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)

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  1624

  2024/09/11

  SiC IGBT

  

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