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英諾賽科氮化鎵熱設(shè)計指導(dǎo)(1)

核心技術(shù)優(yōu)勢/方案詳細(xì)規(guī)格/產(chǎn)品實體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品日益趨向于小型化、高頻高性能化，因此 PCB 上電子元器件的密度也越來越大，芯片的尺寸越來越小，電子設(shè)備工作的熱流密度也不斷增大。根據(jù)相關(guān)調(diào)查顯示，溫度、振動、濕度和灰塵等因素是電力電子產(chǎn)品失效的主要原因其中55

大大通

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06/10 11:44

電力電子電源系統(tǒng)

國產(chǎn)OBC采用GaN！可節(jié)省1500元

11月25日，匯川聯(lián)合動力在官微宣布，他們正式推出了新一代6.6 kW GaN車載二合一電源產(chǎn)品，該產(chǎn)品將車載充電器與車載直流變換器集成，采用GaN功率器件，達(dá)到了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的96%充電效率和4.8 kW/L整機(jī)功率密度。

行家說三代半

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2024/11/26

GaN GaN功率器件

泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室：量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試

在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實驗室，2024年8月份，我們有幸見證了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化鎵（GaN）功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠商，其最新產(chǎn)品在性能上的顯著提升，不僅展現(xiàn)了技術(shù)的進(jìn)步，也為我們的客戶帶來了新的解決方案。測試概覽今年8月，我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件，其額定工作條件提升至1200V/20A（

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2024/09/03

SiC 泰克

泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室：量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試

這家上市公司介入GaN芯片制造

近日，國內(nèi)將新增一個GaN功率芯片生產(chǎn)項目——8月8日，圓融光電科技股份有限公司發(fā)布公告稱，公司董事會已審議通過了關(guān)于GaN功率HEMT器件項目建設(shè)的議案。據(jù)悉，圓融科技與京皖智慧裝備研究院（馬鞍山）股份有限公司簽署了關(guān)于GaN功率HEMT器件工藝流片及相關(guān)服務(wù)的《項目合作協(xié)議》，未來將進(jìn)一步推動落實。

行家說三代半

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2024/08/29

芯片制造 GaN功率器件

CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。 DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10

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2024/06/04

服務(wù)器 PCIM

CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設(shè)計和開發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。

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2023/11/06

GaN 氮化鎵

Cambridge GaN Devices推出獨特的二維條形碼，提高工藝穩(wěn)健性和可靠性

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 再一次通過領(lǐng)先行業(yè)的創(chuàng)新舉措展示公司的創(chuàng)新決心：在 GaN IC 上融入單獨的二維條形碼，并可通過標(biāo)準(zhǔn)商用讀碼器讀取。這不僅使 CGD 能夠掃描封裝器件并識別電路和批次，還能準(zhǔn)確了解每個芯片在晶圓上的制造位置。這對于提供有關(guān)工藝穩(wěn)健性和可靠性的重要數(shù)據(jù)具有重要意義。

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1333

2023/09/25

GaN 氮化鎵