GAA器件模型是什么?遇到了哪些挑戰(zhàn)
3納米工藝節(jié)點(diǎn)中的GAA晶體管帶來了顯著的技術(shù)挑戰(zhàn)。提取電氣特性需要新的方法和工具,以應(yīng)對其復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)和對工藝變異的敏感性。同時(shí),新的物理失效模式也需要在設(shè)計(jì)和制造過程中加以重視,以確保晶體管的可靠性和性能。3納米晶圓制造工藝中的“Gate all-around (GAA) transistors”所帶來的新提取要求和物理失效模式是一個(gè)復(fù)雜的問題。