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  • 面向臨時鍵合/解鍵TBDB的ERS光子解鍵合技術(shù)
    隨著輕型可穿戴設(shè)備和先進數(shù)字終端設(shè)備的需求不斷增長,傳統(tǒng)晶圓逐漸無法滿足多層先進封裝(2.5D/3D堆疊)的需求。它們體積較大、重量重、且在高溫和大功率環(huán)境下表現(xiàn)欠佳,難以適應(yīng)行業(yè)的快速發(fā)展。如今,半導(dǎo)體制造商傾向于采用厚度小于 100 μm的薄晶圓。然而,晶圓越薄就越容易破損,為此,行業(yè)開發(fā)了各種臨時鍵合和解鍵 (TBDB) 技術(shù),利用專用鍵合膠將器件晶圓臨時固定在剛性載板上,以提升制造過程的穩(wěn)
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    人工智能芯片的飛速發(fā)展正深刻改變著半導(dǎo)體行業(yè)。如今的高性能 CPU 和 GPU 在單個基板上集成了數(shù)十億個晶體管,并通過2.5D和3D堆疊等先進封裝技術(shù)提升計算效率、降低延遲。然而,隨著人工智能芯片日益復(fù)雜,業(yè)界開始呼吁將測試階段前移至晶圓測試。這種轉(zhuǎn)變不僅能在制造過程中更早地篩查出缺陷芯片,減少浪費,還能顯著提升總體產(chǎn)量,帶來可觀的成本優(yōu)勢。 盡管晶圓測試有諸多優(yōu)勢,卻面臨著一項嚴(yán)峻挑戰(zhàn):散熱問

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