EMI設(shè)計(jì)

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設(shè)計(jì)資料

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  • 車載顯示屏流媒體EMI輻射超標(biāo)整改案例深度解析
    時(shí)源芯微? 專業(yè)EMC解決方案提供商 為EMC創(chuàng)造可能 （基于CISPR 25與ISO 11452-2標(biāo)準(zhǔn)的工程實(shí)踐） 一、典型問題與機(jī)理分析 超標(biāo)頻段特征 高頻段（100MHz-1GHz）：通常由LVDS時(shí)鐘信號（如24MHz晶振的倍頻）或高速數(shù)據(jù)線（如FPC排線）輻射引起，表現(xiàn)為離散尖峰或?qū)掝l包絡(luò)超標(biāo)。 低頻段（30-100MHz）：多與電源噪聲（如DC-DC開關(guān)諧波）或地回路干擾相關(guān)，常見于
  • 整流橋炸機(jī)元兇追蹤：4類典型失效模式的解剖與防護(hù)設(shè)計(jì)|MDD
    在電力電子系統(tǒng)中，MDD整流橋作為整流電路的核心組件，其可靠性對整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，整流橋的失效（俗稱“炸機(jī)”）現(xiàn)象時(shí)有發(fā)生，給設(shè)備的安全性和壽命帶來嚴(yán)重影響。MDD在本文將深度剖析整流橋的4類典型失效模式，并提出相應(yīng)的防護(hù)設(shè)計(jì)方案，以幫助工程師提高整流電路的可靠性和安全性。 1.過電流擊穿 失效原因： 過流可能是由于負(fù)載短路、突加負(fù)載、電網(wǎng)波動(dòng)或突發(fā)性沖擊電流導(dǎo)致的。
    整流橋炸機(jī)元兇追蹤：4類典型失效模式的解剖與防護(hù)設(shè)計(jì)|MDD
  • 高頻應(yīng)用下的整流橋挑戰(zhàn)：MDDEMI優(yōu)化與反向恢復(fù)時(shí)間控制方案
    在高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用（如開關(guān)電源、逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)）中，MDD整流橋的選型和設(shè)計(jì)直接影響系統(tǒng)效率和電磁兼容性（EMC）。高頻下的主要挑戰(zhàn)包括EMI（電磁干擾）控制和反向恢復(fù)時(shí)間（trr）優(yōu)化，如果處理不當(dāng)，會(huì)導(dǎo)致能量損耗、信號干擾、甚至器件損壞。MDD在本文探討高頻應(yīng)用下整流橋的EMI優(yōu)化策略及反向恢復(fù)時(shí)間的控制方案。 1.高頻應(yīng)用中整流橋的挑戰(zhàn) （1）EMI問題 在高頻環(huán)境（>20k
    高頻應(yīng)用下的整流橋挑戰(zhàn)：MDDEMI優(yōu)化與反向恢復(fù)時(shí)間控制方案
  • 深度科普｜EMC 究竟能解決哪些棘手問題？
    在當(dāng)今這個(gè)電子設(shè)備無處不在的時(shí)代，我們享受著它們帶來的便捷與高效，但與此同時(shí)，也面臨著一系列由電磁現(xiàn)象引發(fā)的潛在問題。電磁兼容性（EMC），作為保障電子設(shè)備和系統(tǒng)正常運(yùn)行的關(guān)鍵要素，扮演著至關(guān)重要的角色。在這一領(lǐng)域，比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司有著深入的研究和專業(yè)的技術(shù)，致力于為解決相關(guān)電磁問題提供有效的方案 。那么，EMC 究竟能解決哪些棘手的問題呢？讓我們一同深入探究。 設(shè)備間相互干擾問題 現(xiàn)代生活
  • 直面行業(yè)痛點(diǎn)，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展 -比創(chuàng)達(dá) “AI&EMC，電磁兼容” 高峰論壇圓滿落幕
    2024 年 11 月 6 日，由比創(chuàng)達(dá)主辦的 “AI&EMC，人工智能也要電磁兼容” 高峰論壇在深圳國際會(huì)展中心（寶安）隆重舉行并取得圓滿成功。此次高峰論壇吸引了眾多行業(yè)精英、企業(yè)代表齊聚一堂，共同探討人工智能時(shí)代下電磁兼容領(lǐng)域的新挑戰(zhàn)與新機(jī)遇。高峰論壇上，各位演講嘉賓帶來了精彩紛呈的主題演講。
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