BJT

在智能音箱的音頻功放電路中，一枚貼片三極管將微弱的DAC輸出信號(hào)放大百倍，驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)出清晰音效。這一過程揭示了三極管作為"電流放大器"的核心價(jià)值——通過精密控制載流子運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換與調(diào)控。 一、結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)與載流子調(diào)控 雙極型晶體管（BJT）由三個(gè)摻雜區(qū)構(gòu)成發(fā)射結(jié)（BE）和集電結(jié)（BC）。當(dāng)發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏時(shí)（放大區(qū)工作條件），發(fā)射區(qū)高濃度電子注入基區(qū)。以NPN型為例： 發(fā)射極注入：

Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴(kuò)展，推出采用DFN2020D-3封裝的十款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和十款汽車級(jí)產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V，支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍，進(jìn)一步鞏固了Nexperia作為市場(chǎng)領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。通過此次發(fā)布，Nexperia通過DFN封裝提供了其大部分的功率BJT，可滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)節(jié)省空間和能源的封裝的

在電力電子行業(yè)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）無(wú)疑是廣為人知的明星器件。然而，當(dāng)我們面對(duì)基于GaN（氮化鎵）材料的HEMT（高電子遷移率晶體管）技術(shù)時(shí)，可能會(huì)感到些許陌生。為了更全面地了解這一領(lǐng)域，讓我們對(duì)晶體管家族的譜系進(jìn)行一次詳盡的梳理，如圖1所示，這樣我們能更清晰地把握它們之間的關(guān)系與差異。

背景知識(shí) 本文解釋三種主要類型的多諧振蕩器電路以及如何構(gòu)建每種電路。多諧振蕩器電路一般由兩個(gè)反相放大級(jí)組成。兩個(gè)放大器串聯(lián)或級(jí)聯(lián)，反饋路徑從第二放大器的輸出接回到第一放大器的輸入。由于每一級(jí)都將信號(hào)反相，因此環(huán)路整體的反饋是正的。 多諧振蕩器主要分為三種類型：非穩(wěn)態(tài)、單穩(wěn)態(tài)和雙穩(wěn)態(tài)。非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器使用電容耦合兩個(gè)放大器級(jí)并提供反饋路徑。電容會(huì)阻隔任何從一級(jí)傳送到下一級(jí)的直流信號(hào)，因此非穩(wěn)態(tài)多諧振

本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。