ALD

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  • ALD（原子層沉積）與ALE（原子層刻蝕）的區(qū)別解析
    ALD（Atomic Layer Deposition）：原子層沉積是一種逐層生長薄膜的工藝。每個循環(huán)通過“自限性反應(yīng)”，將化學(xué)前體逐層吸附并反應(yīng)，沉積一個原子層的材料。目標(biāo)：構(gòu)建具有高均勻性、無缺陷、埃級厚度精度的薄膜。
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    01/17 08:40
    ALD
    ALD（原子層沉積）與ALE（原子層刻蝕）的區(qū)別解析
  • 原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）詳解
    ALD 是一種精確的薄膜沉積技術(shù)，其核心原理是利用化學(xué)反應(yīng)的“自限性”，以原子或分子層為單位逐層生長薄膜。具體過程包括：前體吸附：將化學(xué)前體（Precursor）引入反應(yīng)室，前體分子在襯底表面發(fā)生吸附，形成單分子層。
    原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）詳解
  • ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢？
    學(xué)員問：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢？如上圖，先說第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。
  • 先進邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納
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    2024/12/10
    先進邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
  • 越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)
    美日荷相繼加大對華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，國產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國是全球最大半導(dǎo)體消費市場，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機等關(guān)鍵領(lǐng)域國產(chǎn)化率不足 10%。隨著國產(chǎn)晶圓廠的逆勢擴張、海外制裁趨緊，本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望擴大份額，預(yù)計2025年國產(chǎn)化率將達50%。 前面文章我們分析了國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導(dǎo)體
    1.3萬
    2024/11/26
    越制裁，越強大！重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)