日本SiC模塊新技術(shù):MOS開關(guān)速度提升10倍
我們都知道碳化硅功率半導(dǎo)體有很多的優(yōu)勢,而且已經(jīng)在汽車、光儲充等眾多的市場大放異彩,但是,碳化硅潛力還未充分被挖掘和利用,例如受限于現(xiàn)有的驅(qū)動器設(shè)計(jì),SiC功率器件的開關(guān)操作速度極其慢,這導(dǎo)致它固有的節(jié)能優(yōu)勢尚未得到充分發(fā)揮。最近,日本方面宣布他們已經(jīng)解決了這個(gè)問題,并且展現(xiàn)出很好的效果。