柵極驅(qū)動(dòng)電路

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  • 集成雙極晶體管的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路以及外圍器件選型設(shè)計(jì)講解
    在MOSFET驅(qū)動(dòng)電路中，經(jīng)常會(huì)遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅(qū)動(dòng)器的情況。這種設(shè)計(jì)在PWM控制或電機(jī)驅(qū)動(dòng)中非常常見，尤其是在需要快速開關(guān)和高效率時(shí)。下面是一個(gè)典型的帶有BJT的柵極驅(qū)動(dòng)電路，上一篇文章講解了VDRV電源處去耦電容的選型計(jì)算，今天，我就結(jié)合這個(gè)電路，聊聊如何設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路。
    集成雙極晶體管的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路以及外圍器件選型設(shè)計(jì)講解
  • PC86320隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器
    描述 PC86320是一個(gè)隔離的雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它設(shè)計(jì)有5A峰值源和6A峰值吸收電流來驅(qū)動(dòng)電源高達(dá)2MHz的MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管開關(guān)頻率。PC86320可以配置為兩個(gè)低端驅(qū)動(dòng)器，兩個(gè)高邊驅(qū)動(dòng)器，或具有可編程功能的半橋驅(qū)動(dòng)器卸載時(shí)間（DT）。輸入側(cè)與兩者隔離輸出驅(qū)動(dòng)器由硅二氧化物隔離屏障，具有150kV/us典型共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）。兩個(gè)
    PC86320隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 分立式CoolSiC?MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究
    選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵(lì)設(shè)計(jì)人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路。