寬禁帶

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  • 升級電源和機架架構(gòu)，滿足AI服務(wù)器的需求
    英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產(chǎn)品非常適用于應(yīng)對數(shù)據(jù)中心機架和電源供應(yīng)單元（PSU）電力需求增長所需的新架構(gòu)和AC-DC配電配置。 前言 人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預(yù)測單臺GPU的功耗將呈指數(shù)級上升，預(yù)計到2030年將達到約2000 W [1]，而AI服務(wù)器機架的峰值功耗將突破驚人的300 kW。這一趨勢促使數(shù)據(jù)中心機架的AC和D
  • 白皮書導(dǎo)讀 | 電機驅(qū)動系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件
    近年來，電動汽車的興起帶動了寬禁帶器件的應(yīng)用，并逐漸滲透到各個市場。目前，工業(yè)電機主要使用逆變器來提高能效等級，這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)時存在一些限制，如總體損耗較高、開關(guān)頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導(dǎo)體的興起，寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能?！峨姍C驅(qū)動系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件》白皮書共18頁，主要探討了采用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）寬禁帶器件對電機驅(qū)動器效率的提升和應(yīng)用中需要克服的設(shè)計問題。
    白皮書導(dǎo)讀 | 電機驅(qū)動系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件
  • Nexperia與KOSTAL就先進車規(guī)級寬禁帶器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
    Nexperia今天宣布已與領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商KOSTAL（科世達）建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的寬禁帶(WBG)器件。根據(jù)合作條款，Nexperia將開發(fā)、制造和供應(yīng)由Kostal設(shè)計和驗證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開發(fā)用于電動汽車(EV)車載充電器(OBC)的頂部散熱(TSC) QDPAK封裝的碳化硅(SiC) MOSFET器件。 KOSTAL Autom
    Nexperia與KOSTAL就先進車規(guī)級寬禁帶器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
  • 【向?qū)捊麕а葸M】： 您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎？
    碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率，相當(dāng)于半導(dǎo)體運行失效。 在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率
  • 從測試角度看寬禁帶技術(shù)的挑戰(zhàn)，泰克為工程師提供簡化工具
    從測試的角度來看寬禁帶技術(shù)帶來的諸多挑戰(zhàn)，例如如何篩選不同廠家的器件及必要性，如何解決目前寬禁帶器件應(yīng)用測試和驅(qū)動測試的難題，如何能充分發(fā)揮器件的性能等。泰克針對性的測試解決方案覆蓋了從半導(dǎo)體材料、生產(chǎn)、可靠性到電源設(shè)計應(yīng)用的全流程，幫助用好寬禁帶技術(shù)，推動技術(shù)進步。 不斷增長的電力電子市場受到氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體的驅(qū)動，這些半導(dǎo)體目前被應(yīng)用于汽車和射頻通信等