可控硅

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  • 探索光耦:選擇合適的可控硅光耦——電壓等級(jí)的關(guān)鍵
    在現(xiàn)代電子設(shè)備和電力控制系統(tǒng)中,可控硅光耦因其能夠有效控制交流負(fù)載而被廣泛應(yīng)用。然而,為了確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和長(zhǎng)壽命,選擇合適的VDRM(最大重復(fù)峰值電壓)顯得尤為重要。本文將詳細(xì)介紹如何根據(jù)不同的交流負(fù)載電壓選擇適合的VDRM,以及封裝選擇的重要性。 什么是VDRM? VDRM,即最大重復(fù)峰值電壓,是指可控硅光耦在反向阻斷狀態(tài)下所能承受的最大電壓。選擇合適的VDRM可以防止因電壓過(guò)高導(dǎo)致的器件擊
  • 探索光耦:剖析隨機(jī)相位可控硅光耦與零交叉可控硅光耦的差異
    在現(xiàn)代電子技術(shù)的廣闊舞臺(tái)上,可控硅光耦作為控制交流負(fù)載的關(guān)鍵元件,其重要性不言而喻。依據(jù)不同的控制需求,可控硅光耦細(xì)分為可控硅光耦(隨機(jī)相位Random-Phase)與可控硅光耦(零交叉Zero-Cross)兩大類別,深入理解二者之間的差異,對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、提升系統(tǒng)效能具有重要意義。 可控硅光耦(隨機(jī)相位Random-Phase)性能特點(diǎn) 靈活導(dǎo)通:能在交流電壓波形的任意相位點(diǎn)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通,賦予設(shè)計(jì)
    探索光耦:剖析隨機(jī)相位可控硅光耦與零交叉可控硅光耦的差異
  • 探索光耦:揭秘零交叉可控硅光耦的獨(dú)特魅力與應(yīng)用前景
    在現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,零交叉可控硅光耦以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景,成為了工程師們的首選。本文將詳細(xì)介紹零交叉可控硅光耦的特點(diǎn)及其在各領(lǐng)域中的應(yīng)用。 零交叉可控硅光耦的特點(diǎn) 電氣隔離:零交叉可控硅光耦通過(guò)光信號(hào)實(shí)現(xiàn)電氣隔離,有效防止高電壓對(duì)低電壓控制電路的影響,提高系統(tǒng)的安全性和可靠性。 過(guò)零觸發(fā):其獨(dú)特的過(guò)零觸發(fā)功能,即在交流電壓過(guò)零點(diǎn)時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通,顯著減少了電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗,延長(zhǎng)了電路
  • 可控硅的原理和作用
    在高速風(fēng)筒方案開(kāi)發(fā)中,可控硅是必不可少的元器件之一??煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應(yīng)用。
  • 光耦知識(shí)分享 | 晶體管光耦與可控硅光耦的區(qū)別
    晶體管光耦和可控硅光耦是兩種常見(jiàn)的光電耦合器件,它們?cè)陔娮与娐分邪缪葜匾慕巧?。下面將介紹晶體管光耦和可控硅光耦的區(qū)別以及它們的主要應(yīng)用。 結(jié)構(gòu)區(qū)別 晶體管光耦通常由一個(gè)發(fā)光二極管(LED)和一個(gè)光敏晶體管(光控晶體管)組成,用于將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。 可控硅光耦包含一個(gè)LED和一個(gè)可控硅器件(如雙向可控硅或三端可控硅),用于實(shí)現(xiàn)功率控制和開(kāi)關(guān)控制功能。 功能區(qū)別 晶體管光耦主要用于信號(hào)隔離和傳
    光耦知識(shí)分享 | 晶體管光耦與可控硅光耦的區(qū)別