半導(dǎo)體制程

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  • 資騰科技Semicon China 2025，半導(dǎo)體客制化解方、ESG創(chuàng)未來(lái)
    佳世達(dá)集團(tuán)羅升(8374)旗下資騰科技（Standard Technology Corporation）參加Semicon China 2025展覽，帶來(lái)多項(xiàng)半導(dǎo)體制程優(yōu)化創(chuàng)新產(chǎn)品，助力產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)降本增效與永續(xù)發(fā)展。如濾能-化學(xué)濾網(wǎng)、超高精度光刻膠泵，非接觸型渦漩式吸筆等。該展覽于3月26日至28日在上海新國(guó)際博覽中心舉行，資騰科技展位設(shè)于N3館3171號(hào)。 隨著電子產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，半導(dǎo)體制程的優(yōu)化和
    資騰科技Semicon China 2025，半導(dǎo)體客制化解方、ESG創(chuàng)未來(lái)
  • 全球首臺(tái)，獨(dú)立研發(fā)！新一代C2W&W2W混合鍵合設(shè)備即將震撼發(fā)布！
    由青禾晶元集團(tuán)獨(dú)立研發(fā)的全球首臺(tái)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備——SAB 82CWW系列即將重磅登場(chǎng)！這是一場(chǎng)顛覆傳統(tǒng)的技術(shù)革命，一次“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”的雙重進(jìn)化！ 隨著半導(dǎo)體制程工藝逼近1nm物理極限，摩爾定律的延續(xù)面臨巨大挑戰(zhàn)。行業(yè)亟需通過“延續(xù)摩爾”（More Moore）與“超越摩爾”（More than Moore）兩條路徑尋找新突破。無(wú)論是3D堆疊技術(shù)提升集成密度，還
    全球首臺(tái)，獨(dú)立研發(fā)！新一代C2W&W2W混合鍵合設(shè)備即將震撼發(fā)布！
  • 資騰科技在Semicon China 2024展示ESG創(chuàng)新力，推出優(yōu)化半導(dǎo)體制程產(chǎn)品
    佳世達(dá)集團(tuán)羅升企業(yè)旗下資騰科技（Standard Technology Corporation）參加Semicon China 2024展覽，展示多項(xiàng)協(xié)助優(yōu)化半導(dǎo)體制程的創(chuàng)新產(chǎn)品，如超潔凈金屬氣體過濾器、超高精度光阻涂布泵等。該展覽于3月20日至22日在上海新國(guó)際博覽中心舉行，資騰科技的展位位于N3館3145號(hào)。 資騰科技總經(jīng)理陳國(guó)榮表示，因應(yīng)全球ESG、第三代半導(dǎo)體等趨勢(shì)需求，今年資騰科技將展示
    資騰科技在Semicon China 2024展示ESG創(chuàng)新力，推出優(yōu)化半導(dǎo)體制程產(chǎn)品
  • 線寬越來(lái)越小，ALD未來(lái)或成唯一選擇？
    在半導(dǎo)體制程進(jìn)入28nm后，由于器件結(jié)構(gòu)不斷縮小且更為3D立體化，生產(chǎn)過程中需要實(shí)現(xiàn)厚度更薄的膜層，以及在更為立體的器件表面均勻鍍膜。在此背景下，ALD技術(shù)憑借優(yōu)異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點(diǎn)，技術(shù)優(yōu)勢(shì)愈加明顯，在半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)的市場(chǎng)占有率也將持續(xù)提高。
    線寬越來(lái)越小，ALD未來(lái)或成唯一選擇？
  • 14nm制程的“卡脖子”效應(yīng)
    在技術(shù)迭代速度方面，半導(dǎo)體制程工藝步入14/16nm節(jié)點(diǎn)之后，需要采用FinFET工藝來(lái)抑制晶體管漏電和可控度降低的問題，由此導(dǎo)致技術(shù)開發(fā)難度和資本投入都大幅度增加，因此，這一門檻也被視為先進(jìn)制程技術(shù)的準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)。