功率模塊

核心技術(shù)優(yōu)勢/方案詳細規(guī)格/產(chǎn)品實體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的“CPU”，是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷瑥V泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、電動汽車及新能源裝備等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。其外殼材料需具備耐高低溫、尺寸穩(wěn)定、耐漏電起痕等苛刻性能，以確保模塊在復(fù)雜環(huán)境下的可靠運行。聚苯硫醚（PPS）憑借優(yōu)異的性能，通過注塑成型工藝為IGBT外殼提供了高性能解決方案。 一、PPS注塑IGBT功率模塊外殼具有以下應(yīng)用優(yōu)勢 電氣性能優(yōu)異

全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。 羅姆半導(dǎo)體歐

4月21日，“大慶政事”報道了黑龍江功率模塊項目的建設(shè)進展，該項目預(yù)計6月實現(xiàn)量產(chǎn)，年產(chǎn)能將達500萬個。該報道提到，匯芯功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)制造項目是由廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司全資子公司——黑龍江匯芯半導(dǎo)體有限公司投資建設(shè)，該項目力爭5月底達到試生產(chǎn)條件，預(yù)計6月份實現(xiàn)量產(chǎn)，屆時，全球首條智能功率模塊AI示范封測線將投產(chǎn)。

1995年，英飛凌（原西門子半導(dǎo)體事業(yè)部）進入中國，在無錫建立了第一家工廠，開啟在華發(fā)展的篇章。 1999年，西門子將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)剝離成立英飛凌科技（以下簡稱“英飛凌”），彼時這家公司僅擁有5 萬名員工，主要生產(chǎn)消費電子芯片，無錫工廠也因此同步更名為英飛凌無錫。 2001年，英飛凌無錫工廠率先引入分立器件和智能卡芯片生產(chǎn)線，奠定了領(lǐng)先制造工藝的基礎(chǔ)。 2013年，啟動智能工廠建設(shè)，開啟數(shù)字化轉(zhuǎn)型之路 2015年，英飛凌半導(dǎo)體（無錫）有限公司正式成立，加速在華智能制造步伐。 從2018年至今，英飛凌無錫工廠不斷豐富本土生產(chǎn)的產(chǎn)品組合，同時提升相關(guān)制造能力和工藝水平。