功率晶體管

作為寬禁帶半導(dǎo)體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而，GaN器件的高速開關(guān)行為也對(duì)PCB布局設(shè)計(jì)提出了巨大挑戰(zhàn)。因此想要充分發(fā)揮GaN的潛力，我們必須理解和管理PCB布局產(chǎn)生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運(yùn)行，并且不會(huì)引起不必要的電磁干擾（EMI）。

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關(guān)系，后者是兆赫級(jí)電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P，幫助該公司開發(fā)先進(jìn)的無線功率解決方案，為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。 此次合作將英飛凌的先進(jìn)氮化鎵（GaN

配備高精度欠壓鎖定功能，產(chǎn)品陣容豐富，支持從Si-MOSFET到IGBT和SiC MOSFET的各種功率晶體管 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出PWM控制方式*1FET外置型通用控制器IC，非常適用于工業(yè)設(shè)備的AC-DC電源。目前已有支持各種功率晶體管的4款新產(chǎn)品投入量產(chǎn)，包括低耐壓MOSFET驅(qū)動(dòng)用的“BD28C55FJ-LB”、中高耐壓MOSFET驅(qū)動(dòng)用的“BD28C5

Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新、用于陽臺(tái)的小型發(fā)電廠的先驅(qū)。EET公司選用了宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺(tái)產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實(shí)現(xiàn)了最佳折衷，這對(duì)于要求嚴(yán)格的硬開關(guān)應(yīng)用至關(guān)重要，同時(shí)在緊湊的封裝中實(shí)現(xiàn)100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設(shè)計(jì)顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。

意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。