是德科技(NYSE: KEYS )開發(fā)了一種光隔離差分探頭系列,專門用于提高寬禁帶 GaN 和 SiC 半導(dǎo)體等快速開關(guān)器件的效率和性能測試。 是德科技光隔離探頭,共模抑制能力比標(biāo)準(zhǔn)差分探頭高 100 dB 用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器的浮動(dòng)半橋和全橋架構(gòu)驗(yàn)證需要測量高共模電壓上的小差分信號(hào),由于相對(duì)于地的電壓源波動(dòng)、噪聲干擾和安全問題,這種測量具有一定的挑戰(zhàn)性。隔離差分探頭是電氣隔離的,能夠抑
無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發(fā)高能效氮化鎵(GaN)功率器件,致力於簡化綠色電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和實(shí)施。近日,CGD進(jìn)一步公佈了關(guān)於ICeGaN? GaN 技術(shù)解決方案的詳情,該方案將助力公司進(jìn)軍功率超過100kW的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成應(yīng)用市場,這一市場規(guī)模預(yù)計(jì)超過100億美元。Combo ICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG