內(nèi)存模塊

• 新品發(fā)布 | 研華新一代CXL 2.0內(nèi)存，數(shù)據(jù)中心效率大革新！

  研華科技宣布推出新一代SQRAM CXL 2.0 Type 3 內(nèi)存模塊。Compute Express Link (CXL) 2.0 是內(nèi)存技術(shù)的下一代進(jìn)化產(chǎn)品，可通過高速、低延遲的互連實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展和加速，滿足大型 AI 訓(xùn)練和高性能計(jì)算集群的需求。 CXL 2.0 建立在 CXL 規(guī)范的基礎(chǔ)上，引入了內(nèi)存共享和擴(kuò)展等高級功能，使異構(gòu)計(jì)算環(huán)境中的資源利用效率更高，在當(dāng)今高性能計(jì)算領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)

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  1071

  2024/10/30

  數(shù)據(jù)中心 服務(wù)器

  
• 美光 MRDIMM 創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存，為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載加速

  突破性的美光 MRDIMM 具備高達(dá) 256GB 容量和 40% 更低延遲，賦能 AI 及 HPC 等內(nèi)存密集型應(yīng)用 美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款 MRDIMM 將賦能美光客戶應(yīng)對日益繁重的工作負(fù)載，從而最大化計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的價(jià)值。對于需要每個(gè) DIMM 插槽內(nèi)存超過 128GB 的應(yīng)用，美光 MRDIMM 提供最高帶

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  2024/07/18

  AI 美光科技
• V-COLOR推出專為AMD WRX90和TRX50工作站的OC R-DIMM高性能內(nèi)存

  臺北2024年5月21日?/美通社/ -- 提供針對AMD WRX90和TRX50主板優(yōu)化的DDR5 OC R-DIMM 提供容量128GB（16GBx8）到768GB（96GBx8），速度5600MHz到8000MHz等不同選擇 配備AMD EXPO技術(shù)，支持超頻 專為AMD Ryzen Threadripper PRO 7000系列精心設(shè)計(jì) 獨(dú)創(chuàng)專利RCD和PMIC微型散熱片技術(shù)，提升冷卻效果

  美通社

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  2024/05/21

  AMD 內(nèi)存模塊
• 佰維信創(chuàng)云存儲解決方案：讓海量數(shù)據(jù)跑出讀寫“加速度”

  海比研究院數(shù)據(jù)預(yù)測，2022年中國信創(chuàng)市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到3052億元，并在未來五年持續(xù)保持35%~40%的增速。作為信創(chuàng)PC固態(tài)硬盤的主力供應(yīng)商，佰維今年相繼推出了面向信創(chuàng)云市場的服務(wù)器RDIMM內(nèi)存模組和服務(wù)器系統(tǒng)盤，致力于為企業(yè)級客戶提供高性能、高可靠和低擁有成本的服務(wù)器存儲解決方案，讓海量數(shù)據(jù)跑出讀寫“加速度”。 一、佰維RD100服務(wù)器內(nèi)存：高能效、高可靠、兼容性更好 佰維存儲Market

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  2022/12/01

  云存儲 信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)
• 通過DDR5為數(shù)據(jù)中心帶來先進(jìn)的服務(wù)器性能

  隨著服務(wù)器和個(gè)人電腦制造商相繼發(fā)布支持DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，越來越多的系統(tǒng)正在轉(zhuǎn)向新一代內(nèi)存模塊，2022年也成為了DDR5的啟用年。特別是在數(shù)據(jù)中心，處理器內(nèi)核數(shù)量的增加所帶動的內(nèi)存帶寬和容量需求正在推動DDR5內(nèi)存的普及。

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  2022/11/01

  數(shù)據(jù)中心 服務(wù)器
• DDR內(nèi)存模塊插槽大盤點(diǎn)，總有一款適合您

  內(nèi)存插槽對于整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。如果數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器發(fā)生內(nèi)存連接問題，那么故障的排查成本，以及可能造成的損失，簡直不可估量。因此，內(nèi)存插槽的選擇，千萬不能馬虎。

  貿(mào)澤電子

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  2021/12/01

  SMT DDR
• DDR5駕到！你的內(nèi)存又雙叒該升級了！

  自上一代DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的問世到現(xiàn)在，已經(jīng)歷了9年，有數(shù)據(jù)顯示目前DDR4標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品在服務(wù)器和PC領(lǐng)域的滲透率都已經(jīng)超過了95%，按照摩爾定律或者其他技術(shù)預(yù)測，新一代的DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)早該駕到了，由此足見在內(nèi)存領(lǐng)域技術(shù)進(jìn)步的邊際成本是越來越高。

  安富利

  346

  2020/12/23

  pc DDR5

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