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    • 1.什么是寬帶隙半導體
    • 2.寬帶隙半導體材料有哪些
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什么是寬帶隙半導體 寬帶隙半導體材料有哪些

2023/03/31
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寬帶隙半導體指的是能帶寬度大于 2電子伏特(eV)的半導體材料。這種材料因為具備比常見的硅(Si)和鍺(Ge)等材料更大的電子運動性能，在高功率器件、發(fā)光二極管和太陽能電池等領域都有廣泛應用。

1.什么是寬帶隙半導體

寬帶隙半導體相較于窄帶隙半導體，其狹義的定義為在溫度為 0K 時能帶寬度大于 2eV 的半導體。

因此，寬帶隙半導體主要包括：氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC)、氧化鋅 (ZnO) 等材料。

2.寬帶隙半導體材料有哪些

現(xiàn)代電子學中，廣泛采用的寬帶隙半導體材料包括：

  1. GaN（氮化鎵）：應用于耐壓電力設備、高頻控制器以及藍光LED等領域。
  2. SiC（碳化硅）：應用于汽車配件、太陽能電池和發(fā)電機技術等領域。
  3. ZnO（氧化鋅）：應用于透明導電薄膜、激光二極管以及光電子器件等領域。

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