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本應用說明討論了如何將片上振蕩器電路用于 Philips Semiconductors UART 和 DUSCC 系列數(shù)據(jù)通信器件;SCC2691、SCC2692、SCN68681、SCN26562 和 SCN68562。
晶體振蕩器
片上振蕩器電路由一個反相放大器和一個反饋電阻器組成，用于實現(xiàn) Pierce 振蕩器。在反饋回路中增加外部晶體和外部電容，提供振蕩所需的正電抗，并控制振蕩的頻率。振蕩器在晶體反諧振 （parallel resonent） 的頻率下工作，晶體兩端的負載電容。負載電容由下式給出：
C = （（C1 x C2） / （C1 + C2）） + 流浪
“并聯(lián)”和“串聯(lián)”晶體之間的唯一區(qū)別是它們的校準方式。晶體經(jīng)過校準，以達到其指定頻率，無論是在具有特定負載電容的并聯(lián)諧振下，還是在串聯(lián)諧振下（無負載電容）。在其串聯(lián)諧振頻率下校準的晶體仍將在此振蕩器中以并聯(lián)諧振運行，但所得頻率將略高于為晶體指定的頻率。
一般來說，可以通過調(diào)整外部電容器來稍微調(diào)整振蕩器頻率，較大的電容器會降低振蕩器的頻率，而較小的電容器會提高振蕩器的頻率。由于使用在與電路中存在的負載電容不同的負載電容下校準的晶體而導致的小頻率誤差對于典型應用來說可以忽略不計?？煽啃愿鼮橹匾?/p>
SCC2691、SCC2692、SCC68692 和 SCC2698 振蕩器推薦
典型晶體參數(shù)：
頻率 – 2–4MHz 工作模式 – 并聯(lián)諧振，基波模式 負載電容 （C） – 12–32pF
對于在標稱頻率下運行時，下面推薦的值將提供準確、可靠的結(jié)果。頻率會根據(jù)單個電路中的雜散電容量而略有不同，但通常不超過 0.01%。
C1 = C2 = 24pF Y1 = Saronix NYP037-20;3.6864MHz，C= 20pF，R = 160Ω
SCN2681 和 SCN68681 震蕩指標建議
對于這些部件，X1/CLK 引腳連接到逆變器的輸出端，X2 引腳連接到輸入端，逆變器是施密特觸發(fā)器。由于采用施密特觸發(fā)器反相器，SCN2681 和 SCN68681 僅限于使用小值外部電容器。如果使用 15pF 或更高的電容器，可能會遇到間歇性開機問題。振蕩器可能保持弛豫模式，以遠低于晶體指定頻率的頻率振蕩。因此，我們建議使用大約 5pF 的外部電容器，并且電路板提供的雜散電容不超過 5pF。研究還發(fā)現(xiàn)，在 X1 和 X2 上添加一個 100k–1MΩ 的外部電阻器將解決某些設計的其他啟動問題。雖然我們建議使用 5pF 的平衡電容器 （C1 = C2），但可能會使用不平衡值。由于 X2 引腳（逆變器的輸入）對電容最敏感，因此許多設計在 X1 引腳上使用更大值的電容 （10–15pF），而在 X2 引腳上保留 5pF。
