MRF6P23190HR6 2 x W-CDMA橫向N溝道射頻功率MOSFET

專為頻率從2300到2300的CDMA基站應用而設(shè)計2400兆赫。適用于WiMAX、WiBro和多載波放大器應用。適用于WLL應用的AB類和C類。

• 典型的雙載波W-CDMA性能：VDD=28伏，IDQ=1900毫安，Pout=40瓦特平均值，f=2390 MHz，信道帶寬=3.84 MHz，標準桿數(shù)=8.5 dB@0.01%概率在CCDF上。功率增益14 dB排水效率23.5%，在3.84 MHz信道帶寬下，IM3@10 MHz偏移量為-37.5 dBc，在3.84 MHz信道帶寬下，5 MHz偏移時的ACPR為-41 dBc
• 能夠處理10:1 VSWR，@28 Vdc，2340 MHz，190瓦CW輸出功率

特征

• 以串聯(lián)等效大信號阻抗參數(shù)為特征
• 內(nèi)部匹配，易于使用
• 最高32 VDD操作合格
• 集成ESD保護
• 專為低內(nèi)存效應和寬瞬時帶寬而設(shè)計應用
• 符合RoHS標準
• 磁帶和卷軸。R6后綴=每56毫米13英寸卷軸150個單位。