SOT115J封裝中的混合放大器模塊,工作電壓為24 V (DC)。
特性
- 良好的線性度
- 極低的噪音
- 卓越的回波損耗性能
- 氮化硅鈍化
- 堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)
- 黃金金屬化確保卓越的可靠性
閱讀全文
加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:
860mhz, 21.5 dB增益倍頻放大器
SOT115J封裝中的混合放大器模塊,工作電壓為24 V (DC)。
特性
器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
7460408 | 1 | Wurth Elektronik | PCB Terminal, |
|
|
$4.03 | 查看 | |
C0603C104K5RACTU | 1 | KEMET Corporation | Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 50V, ±10%, X7R, 0603 (1608 mm), -55o ~ +125oC, 7" Reel/Unmarked |
|
|
$0.19 | 查看 | |
1N4007-TP | 1 | Micro Commercial Components | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
|
|
$0.05 | 查看 |
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
查看更多方案定制
去合作