單晶硅和多晶硅的區(qū)別

硬件型號：阿特斯光伏板

系統(tǒng)版本：太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)

單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。

多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。在力學性質(zhì)、電學性質(zhì)等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。

1、在力學性質(zhì)、光學性質(zhì)和熱學性質(zhì)的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯;

2、在電學性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。

3、在化學活性方面，兩者的差異極小，一般都用多晶硅比較多。

單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質(zhì)了，一般的半導體器件要求硅的純度六個9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必須達到九個9。人們已經(jīng)能制造出純度為十二個9的單晶硅。單晶硅是電子計算機、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學技術中不可缺少的基本材料。在電學性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。

（圖片來源于互聯(lián)網(wǎng)）