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前段時間，和思科的一位工程師聊了聊。聊如何看技術(shù)書籍，聊到Mike Li那本關于抖動與噪聲的書，聊是看中文還是英文版本的技術(shù)文檔。
突然，他問我：電源為什么要研究PDN？
一時間有點懵。理了理思路：直流部分，有IR Drop，也可以理解為低頻部分。那高頻就是看PDN，研究目標阻抗。
他補充了一下，是這樣，不管是C*dv/dt還是L*di/dt都是時域的，那PDN是什么？電源網(wǎng)絡分配，看的目標阻抗是看的頻域的，這是為什么？
最近看到一本書，里面有講到直流壓降（IR Drop），前面講了講邏輯門，集成電路電壓差引發(fā)電路時序問題，進而導致信號傳輸問題。這些很多資料差不多。直到后面看到靜態(tài)IR Drop和動態(tài)IR Drop，才感覺和別的資料有點不一樣。
靜態(tài)IR Drop考慮的是直流電流和電源傳輸線的內(nèi)阻的兩個因素。電源線內(nèi)阻考慮的是直流電流和材料本身的電阻率，產(chǎn)品設計使用的PCB傳導材料就是銅。
說到這，想起之前和長鑫一個技術(shù)大牛交流，曾經(jīng)問過我一個問題：封裝的WB金線，如果變長，會考慮什么？這個問題至少可以考慮一下電導率，壓降的問題。但這個問題還會有其他方面的考量，只不過我還不知道。
真正讓我對前面的問題，有想法的是動態(tài)IR Drop。動態(tài)的IR Drop研究的是開關切換的電流波動，而開關的切換是在時鐘沿發(fā)生翻轉(zhuǎn)的時候，這個時候瞬時電流很大，開關晶體管的數(shù)量越多，電源線上的電壓下降的情況越容易發(fā)生。
如果這個時候PDN到達觸發(fā)器，動態(tài)IR Drop過大，會造成觸發(fā)器電壓過低而停止工作。因為高速信號，時鐘頻率比較快，電流對時間的變化可以不考慮，這時候PDN上的壓降考慮的就是頻域部分。當然，芯片級，封裝級和板級考慮的頻率范圍不同而已。
后來，和群里的網(wǎng)友知寒聊了聊，他說的也很有意思：▲I*Z=▲U ，▲U為噪聲，▲I代表的是時域上電流變化快慢，Z代表就是頻率下的阻抗，電流的變化快慢，時域的部分沒辦法優(yōu)化修改，只能通過Z即PDN來進行管控。所以，電流的變化也是用于滿足頻域的分布。這么一想，也是一個方向。
