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2022年7月26日 – 全球工業(yè)級嵌入式存儲領(lǐng)導(dǎo)品牌ADATA威剛科技，于今日正式上線DDR5 4800 ECC U-DIMM與ECC SO-DIMM工業(yè)級內(nèi)存，持續(xù)擴充DDR5產(chǎn)品系列，提供給客戶更多選擇。相較于上一代DDR4 3200 MT/s的傳輸速度，DDR5在效能上顯著增長50%，且在容量、功耗及穩(wěn)定性上具有更優(yōu)異的表現(xiàn)，并兼容英特爾第12代Alder Lake處理器。隨著新一代服務(wù)器、超級計算機、數(shù)據(jù)中心的需求增加，內(nèi)存市場份額也隨之?dāng)U大；新一代DDR5將代替DDR4成為主流，并應(yīng)用于5G、大數(shù)據(jù)等對性能要求極高的行業(yè)領(lǐng)域，廣泛賦能小型工作站、安防、遠程醫(yī)療、邊緣計算、高端計算機等。
威剛DDR5 ECC U-DIMM與ECC SO-DIMM工業(yè)級內(nèi)存，嚴選三星原廠優(yōu)質(zhì)顆粒，共有16GB與32GB的兩種容量。而在技術(shù)規(guī)格上，新一代DDR5有著顯著的優(yōu)勢：
一、等效頻率提升
4800 MT/s雙倍頻率的提升，可高速傳輸海量數(shù)據(jù)，保障工業(yè)設(shè)備高效運作。
二、超低功耗 散熱更強
DDR5內(nèi)存工作電壓僅需1.1V，對比DDR4的1.2V，實現(xiàn)了20%左右的節(jié)能效率；并配置溫度傳感器，保障24h*7天運作的工業(yè)系統(tǒng)能有效散熱。
三、雙32位雙通道
全新雙通道DIMM架構(gòu)將DDR5內(nèi)部64位數(shù)據(jù)帶寬，分為兩路32位獨立通道，從而有效提高了內(nèi)存控制器進行數(shù)據(jù)訪問的效率，同時減少延遲。
四、雙倍數(shù)據(jù)組（Bank Group）訪問不延遲
DDR5 Bank Group的數(shù)量可以選擇2組、4組到最高8組的設(shè)計，總Bank數(shù)也從16個增加至32個。Bank group數(shù)量的翻倍，確保更少的訪問延遲，允許更多頁面同時被打開，加倍提高了系統(tǒng)的整體效率。
五、獨立電源管理IC（PMIC）
將電源管理的功能從主板轉(zhuǎn)到更靠近內(nèi)存芯片的革新電源架構(gòu)，可降低主板的復(fù)雜性、提升電源轉(zhuǎn)換的效率。
六、雙重ECC糾錯機制 保護數(shù)據(jù)高度完整
支持Side-band ECC和On-die ECC雙重糾錯機制，除了能自動糾正錯誤，也為信道上的數(shù)據(jù)傳輸過程提供端對端完整保護，改善內(nèi)存的數(shù)據(jù)容錯能力，進而提高準確性。
目前威剛工業(yè)級DDR5 4800內(nèi)存系列已備齊U-DIMM、SO-DIMM、R-DIMM，以及新上市的 ECC U-DIMM和ECC SO-DIMM，所有產(chǎn)品皆通過嚴格的驗證與測試，并提供多樣的增值防護技術(shù)；例如30µ PCB鍍金層，增強產(chǎn)品的耐用度和壽命；抗硫化 (Anti-Sulfuration) 和三防膠 (Conformal Coating) 技術(shù)，保護內(nèi)存抵御外在污染、灰塵或濕度所產(chǎn)生的不良影響，為工業(yè)設(shè)備提升對抗惡劣環(huán)境能力，大幅度提升內(nèi)存的耐用度。
