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致瞻科技創(chuàng)始人史經(jīng)奎和浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)發(fā)表了題為《SiC MOSFET：800V電動(dòng)汽車(chē)空調(diào)壓縮機(jī)的必然趨勢(shì)》的論文。該團(tuán)隊(duì)旗幟鮮明地指出，與硅基IGBT相比，SiC MOSFET是800V電動(dòng)汽車(chē)電動(dòng)壓縮機(jī)的首選。
為了向汽車(chē)用戶展示800V電動(dòng)汽車(chē)空調(diào)電動(dòng)壓縮機(jī)采用SiC MOSFET的好處，該團(tuán)隊(duì)采用保時(shí)捷Taycan Turbo S進(jìn)行詳細(xì)的系統(tǒng)評(píng)估。
結(jié)果顯示，空調(diào)電動(dòng)壓縮機(jī)采用SiC MOSFET后，夏季和冬季的行駛里程分別可增加7.35公里和9公里，也就是說(shuō)，汽車(chē)制造商在保持相同行駛里程的情況下，在夏季和冬季可以節(jié)省1095 Wh和1353 Wh的電池容量，這將使得消費(fèi)者的購(gòu)車(chē)成本大大降低。
EV法規(guī)趨嚴(yán)，空調(diào)壓縮機(jī)亟需采用SiC MOS
汽車(chē)主機(jī)廠和汽車(chē)零部件廠商在開(kāi)發(fā)部件產(chǎn)品時(shí)通常首先考慮的就是成本問(wèn)題，而SiC MOSFET現(xiàn)在之所以能夠成功應(yīng)用于很多行業(yè)，其驅(qū)動(dòng)力是廣義上的成本，即采用SiC MOSFET器件所帶來(lái)的系統(tǒng)級(jí)經(jīng)濟(jì)效益，超過(guò)了SiC MOSFET器件本身所增加的采購(gòu)成本，例如：
電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成逆變器采用SiC MOSFET 器件，可以為汽車(chē) OEM 節(jié)省電池成本；
光伏領(lǐng)域，SiC MOSFET器件在輕載下的高效率使得發(fā)電成本更低；
電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器或?DC/DC 轉(zhuǎn)換器采用SiC MOSFET可以減小整體尺寸和重量，同時(shí)節(jié)省電容器、電感器等無(wú)源儲(chǔ)能器件的成本；
燃料電池空氣壓縮機(jī)采用SiC MOSFET器件能夠?qū)崿F(xiàn)超高轉(zhuǎn)速，進(jìn)而可以提高壓縮機(jī)效率并減小尺寸和冷卻要求，從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)成本的降低。
不用于上述OBC、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、動(dòng)力總成逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域，電動(dòng)汽車(chē)空調(diào)壓縮機(jī)目前很少有SiC MOSFET 方案，主要是因?yàn)榭照{(diào)壓縮機(jī)廠商對(duì)成本控制要求極高，因此，處于成本考慮，很多從業(yè)者的第一反應(yīng)是將SiC MOSFET器件排除在選擇范圍之外。
但是與傳統(tǒng)燃油汽車(chē)不同，電動(dòng)汽車(chē)空調(diào)系統(tǒng)不僅承擔(dān)著座艙熱管理，還承擔(dān)著電池系統(tǒng)熱管理甚至電機(jī)控制熱管理，對(duì)加熱和冷卻功率的高需求導(dǎo)致續(xù)航里程大幅縮短，而作為空調(diào)系統(tǒng)心臟的電動(dòng)壓縮機(jī)，電動(dòng)壓縮機(jī)中扮演著最關(guān)鍵的角色。
現(xiàn)階段電動(dòng)汽車(chē)的空調(diào)系統(tǒng)能耗非常高，僅次于車(chē)輛的行車(chē)能耗，尤其是在夏季和冬季，由于空調(diào)和供暖系統(tǒng)能耗高，電動(dòng)汽車(chē)的行駛里程減少。
德國(guó)IAV的研究發(fā)現(xiàn)，在中型電動(dòng)汽車(chē)（WLTP工況）中，空調(diào)系統(tǒng)的能耗在夏季和冬季分別可占到整車(chē)能耗的21%和38%，
為此，中國(guó)新實(shí)施的CLTC規(guī)范預(yù)計(jì)會(huì)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的空調(diào)系統(tǒng)能耗提出更高的要求，根據(jù)下圖，在CLTC條件下，郊區(qū)道路的相同行駛距離的平均速度較低，行駛時(shí)間較長(zhǎng)，這導(dǎo)致空調(diào)使用時(shí)間更長(zhǎng)，壓縮機(jī)能耗更高，并影響電動(dòng)汽車(chē)在高低溫環(huán)境（-7°C-35°C）下的行駛里程。為此，中國(guó)汽車(chē)消費(fèi)者研究測(cè)試中心?(CCRT) 規(guī)定將這些溫度范圍納入電動(dòng)汽車(chē)測(cè)試。
目前，主流電動(dòng)汽車(chē)常用的PTC加熱系統(tǒng)能效更低，導(dǎo)致電動(dòng)汽車(chē)的行駛里程在冬季急劇下降。雖然特斯拉Model Y改用基于電動(dòng)壓縮機(jī)的熱泵技術(shù)來(lái)提高加熱效率，但該車(chē)型的冬季續(xù)航也就不是很理想。
汽車(chē)的熱管理系統(tǒng)亟需要采用基于SiC MOSFET的電動(dòng)壓縮機(jī)，為了讓汽車(chē)主機(jī)廠和汽車(chē)零部件廠商更了解SiC MOSFET在提升汽車(chē)熱管理性能和降低系統(tǒng)成本方面的優(yōu)勢(shì)，該團(tuán)隊(duì)從系統(tǒng)層面對(duì)SiC MOSFET 優(yōu)勢(shì)進(jìn)行全面、理性的評(píng)估。
空調(diào)壓縮機(jī)結(jié)構(gòu)，IGBT是現(xiàn)階段主流
在汽車(chē)空調(diào)系統(tǒng)中，電動(dòng)壓縮機(jī)的作用是從低壓側(cè)吸入并壓縮低溫低壓氣態(tài)制冷劑，使其溫度和壓力升高再被泵入高溫高壓氣態(tài)制冷劑的高壓側(cè)，如此往復(fù)循環(huán)，達(dá)到外界環(huán)境與車(chē)輛系統(tǒng)之間熱交換器的作用。
現(xiàn)階段，不同的電動(dòng)汽車(chē)采用了不同的制冷/加熱方案，各有優(yōu)缺點(diǎn)，使用電動(dòng)壓縮機(jī)進(jìn)行電池和座艙熱管理的最大好處是在夏季和冬季都能實(shí)現(xiàn)高COP（能效比），從而使電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航可提升，但缺點(diǎn)在于需要采用大功率的E壓縮機(jī)，因?yàn)樗袚?dān)了更多的夏季和冬季的熱管理需求。
與電動(dòng)汽車(chē)三合一動(dòng)力系統(tǒng)類似，電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)也是一個(gè)“小三合一”系統(tǒng)，包括逆變器、永磁同步電機(jī)（PMSM）和機(jī)械渦旋結(jié)構(gòu)三大部件。
目前，市場(chǎng)上電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)的主流逆變器方案采用三相全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，多采用TO-247封裝的IGBT分立器件或IGBT IPM模塊，來(lái)實(shí)現(xiàn)壓縮機(jī)在不同工況下的轉(zhuǎn)速控制。
由于行業(yè)慣性和目前的熱管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)水平，硅基IGBT方案可能在初期占據(jù)主導(dǎo)地位，但隨著電動(dòng)壓縮機(jī)供應(yīng)商的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)能力不斷提升，SiC MOSFET逆變器方案將逐漸取代傳統(tǒng)的IGBT方案，成為800V電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)逆變器的最優(yōu)選擇。
采用SiC MOS好處1：提升壓縮機(jī)能效比
該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為， 800V電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)逆變器 采用 SiC MOSFET ， 對(duì)壓縮機(jī)能效和工作能力方面有著顯著的提高。
第一個(gè)好處， SiC MOSFET 可以從 3個(gè)維度提高電動(dòng)壓縮機(jī)的能源效率。
一方面， SiC MOSFET器件非常適合 電動(dòng)壓縮機(jī)的輕載工況 。
800V汽車(chē)平臺(tái)能夠?qū)崿F(xiàn)更短的充電時(shí)間，減少里程焦慮，提升用戶體驗(yàn)， 但快充 /超充過(guò)程會(huì)導(dǎo)致電池快速升溫，需要大功率的800V電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)將其快速冷卻， 以確保充電安全高效， 在此場(chǎng)景下，空調(diào)壓縮機(jī)的峰值功率需設(shè)計(jì)在10 kW左右。
但是，電動(dòng)壓縮機(jī)大多工作在不需要電池冷卻的輕載工況，春秋季節(jié)功耗一般在 300W –1000W，夏冬季節(jié)功耗一般在1000W –2500W，這正好符合了SiC MOSFET器件的優(yōu)勢(shì)。
SiC MOSFET 單極導(dǎo)通特性具有低導(dǎo)通損耗，由于其體二極管特性具有高開(kāi)關(guān)速度和低反向恢復(fù)損耗，因此開(kāi)關(guān)損耗也很低。相比之下，硅基 IGBT器件及其反并聯(lián)換流二極管作為雙極型器件，需要強(qiáng)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)來(lái)降低通態(tài)壓降（特別是1200V及以上的高壓器件），引起明顯的尾電流和較高的反向恢復(fù)電荷，從而導(dǎo)致較高的關(guān)斷損耗、反向恢復(fù)損耗和開(kāi)通損耗。
該團(tuán)隊(duì)定量評(píng)估了 采用 IGBT 和 SiC MOSFET的 400V和800V電池系統(tǒng)的電動(dòng)壓縮機(jī)逆變器能耗情況，逆變器峰值功率分別為6kW和10kW。
在 400V電池系統(tǒng)，輕載條件下SiC MOSFET方案在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗方面優(yōu)勢(shì)明顯，整體損耗僅為傳統(tǒng)IGBT方案的17%至29%；重載條件下，SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)明顯，整體損耗約為傳統(tǒng)IGBT方案的40%。
在 800V電池系統(tǒng)，由于1200V IGBT器件及反并聯(lián)二極管的開(kāi)關(guān)損耗特性較差，SiC MOSFET方案的優(yōu)勢(shì)更加明顯，輕載條件下整體損耗僅為傳統(tǒng)IGBT IPM方案的11%至17%，而重載條件下則變?yōu)?3%至27%左右。
與 IGBT 解決方案相比，采用 SiC MOSFET的 800V 45cc 電動(dòng)壓縮機(jī)在不同工作點(diǎn)下都實(shí)現(xiàn)了逆變器效率改進(jìn)：在不同輸出扭矩和轉(zhuǎn)速下，整體效率提升范圍為 2.07%-25%。
另一方面，SiC MOSFET的高開(kāi)關(guān)頻率特性可提高PMSM電機(jī)的輕載效率。 出于生產(chǎn)工藝的考慮，車(chē)用電動(dòng)壓縮機(jī)一般采用簡(jiǎn)單的集中式繞組的永磁同步電機(jī)PMSM 。PMSM的損耗可分為基本損耗和諧波損耗，其中基本損耗可分為機(jī)械摩擦損耗和基波銅鐵損。
基波銅鐵損主要由基波電流引起，電動(dòng)壓縮機(jī)逆變器可根據(jù)電機(jī)參數(shù)采用 MTPA等優(yōu)化控制策略，在滿足轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)速要求的條件下，最小化基波銅鐵損。通常，開(kāi)關(guān)頻率越高，諧波銅損和磁滯損耗越低。
低速輕載時(shí)，電機(jī)諧波損耗占比較大，提高開(kāi)關(guān)頻率可以通過(guò)降低諧波銅損和磁滯損耗來(lái)提高電機(jī)效率。諧波銅損和磁滯損耗分別與開(kāi)關(guān)頻率的 1.2次方和1次方成反比。 因此，對(duì)于用于除霧、除霜等輔助功能的電動(dòng)壓縮機(jī)，提高開(kāi)關(guān)頻率可以提高壓縮機(jī)電機(jī)的效率。
在輕載條件下，與 10 kHz開(kāi)關(guān)頻率相比，20 kHz開(kāi)關(guān)頻率可 將 800V 電動(dòng)壓縮機(jī)系統(tǒng)（電機(jī) +逆變器）的效率提高 5.6%。
第三方面， 降低逆變器和電機(jī)的損耗將進(jìn)一步提高 E-壓縮機(jī)的 能效比（ COP）。當(dāng)空調(diào)系統(tǒng)工作在制冷狀態(tài)時(shí)，變頻器和電機(jī)的熱損耗將通過(guò)壓縮機(jī)與外界的卡諾循環(huán)條件被制冷劑帶走。
與傳統(tǒng)的硅 IGBT 解決方案相比，使用碳化硅 MOSFET 解決方案可以大大降低逆變器和電機(jī)的損耗，這意味著可降低制冷劑提供的冷卻需求。在保證相同機(jī)械功率輸出的情況下，這些節(jié)省的制冷量可用于增強(qiáng)系統(tǒng)的外部制冷量，從而進(jìn)一步提高電動(dòng)壓縮機(jī)的COP。原 IGBT方案的電動(dòng)壓縮機(jī)COP為2.6，若采用碳化硅MOSFET后，電機(jī)和逆變器的效率提升10%，則電動(dòng)壓縮機(jī)系統(tǒng)在不同負(fù)載條件下的COP將提升16% - 31%。
采用SiC MOS好處2：擴(kuò)展空調(diào)電動(dòng)壓縮機(jī)工作范圍
第二個(gè)好處，SiC MOSFET可以大大擴(kuò)展空調(diào)電動(dòng)壓縮機(jī)的工作范圍。
一方面，采用SiC MOSFET可以實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的低速控制能力。
電子壓縮機(jī)更強(qiáng)的低速運(yùn)行能力可在系統(tǒng)能效和壓縮機(jī)續(xù)航能力優(yōu)化方面為空調(diào)系統(tǒng)帶來(lái)顯著效益。
壓縮機(jī)逆變器使用的無(wú)速度傳感器控制（基于電流傳感器）通常需要精確的輸出電壓估算，尤其是在低速范圍內(nèi)。與硅?IGBT?相比，SiC MOSFET?解決方案在低速控制能力方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。
在低速條件下，傳統(tǒng)IGBT方案引入的飽和壓降和死區(qū)時(shí)間會(huì)導(dǎo)致非線性電壓矢量誤差，甚至可能超過(guò)基本輸出電壓。為了解決這個(gè)問(wèn)題，傳統(tǒng)的方法是通過(guò)額外的補(bǔ)償或在電機(jī)控制算法中加入非線性模型來(lái)抵消非線性因素的影響。不過(guò)，一旦?IGBT?補(bǔ)償不準(zhǔn)確，就會(huì)導(dǎo)致壓縮機(jī)系統(tǒng)啟動(dòng)失敗或系統(tǒng)不穩(wěn)定，這將導(dǎo)致電子壓縮機(jī)產(chǎn)品的良品率（PPM）大幅降低。
SiC MOSFET?解決方案比硅?IGBT?解決方案更具優(yōu)勢(shì)，尤其是在低速控制性能方面。使用?SiC MOSFET，零電流時(shí)的導(dǎo)通壓降幾乎不存在，而且由于其開(kāi)關(guān)速度高，死區(qū)時(shí)間極短。即使開(kāi)關(guān)頻率是?IGBT?解決方案的兩倍，其死區(qū)時(shí)間造成的輸出電壓誤差也只有?IGBT?解決方案的五分之一。而且SiC MOSFET?逆變器的非線性遠(yuǎn)低于?IGBT?方案，因此無(wú)需補(bǔ)償就能顯著提高低速性能。
此外，SiC MOSFET?的高開(kāi)關(guān)頻率可有效降低開(kāi)關(guān)紋波，從而減少電機(jī)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。而且提高控制頻率還能改善負(fù)載擾動(dòng)下的控制穩(wěn)定性和帶寬，最終對(duì)提高電動(dòng)壓縮機(jī)的低速性能和控制穩(wěn)定性起到至關(guān)重要的作用。
另一方面，采用SiC MOSFET使得高溫重載條件下啟動(dòng)運(yùn)行能力更強(qiáng)。
對(duì)于800V電池電動(dòng)汽車(chē)的超充工況，電動(dòng)壓縮機(jī)需要具備更為關(guān)鍵的大負(fù)荷高溫環(huán)境啟動(dòng)能力。
例如在炎熱夏日，環(huán)境溫度42℃，周?chē)鸁o(wú)風(fēng)，陽(yáng)光直射后壓縮機(jī)艙內(nèi)溫度可達(dá)85℃，此時(shí)電動(dòng)壓縮機(jī)的吸排氣壓力比較高，而電動(dòng)汽車(chē)需要在超充站以360kW的功率、近500Arms的電流進(jìn)行充電。此時(shí)空調(diào)壓縮機(jī)需要峰值功率輸出，才能獲得足夠的制冷量來(lái)冷卻電池組和座艙。
這種場(chǎng)景對(duì)電動(dòng)壓縮機(jī)而言極為嚴(yán)酷，尤其對(duì)于傳統(tǒng)的IGBT方案而言：壓縮機(jī)需要在高溫初始環(huán)境下運(yùn)行數(shù)秒，實(shí)現(xiàn)高扭矩啟動(dòng)，且沒(méi)有制冷劑帶走的熱量，因?yàn)槌跏剂鲃?dòng)緩慢，需要依靠散熱底板的熱容量來(lái)吸收功率器件的損耗。由于IGBT?損耗較大，很容易導(dǎo)致功率器件結(jié)溫超過(guò)其最大允許范圍，從而導(dǎo)致啟動(dòng)失敗，甚至導(dǎo)致?IGBT?損壞。
然而，SiC MOSFET的損耗比?IGBT?低得多。這些芯片可以在更高的結(jié)溫下工作，支持更長(zhǎng)的時(shí)間，直到壓縮機(jī)系統(tǒng)建立冷卻能力。
根據(jù)該團(tuán)的測(cè)試，在夏季，與傳統(tǒng)?IGBT?方案相比，采用?SiC MOSFET?型電動(dòng)壓縮機(jī)方案不僅可以將功率器件外殼溫度從?110°C?降低至?65°C，從而降低功率器件過(guò)熱故障風(fēng)險(xiǎn)，還可以通過(guò)使用?20 kHz?開(kāi)關(guān)頻率消除可聽(tīng)見(jiàn)的電磁噪聲。
再一方面，SiC MOSFET更適合超低溫?zé)岜霉r。
超低溫?zé)岜每梢杂行岣唠妱?dòng)汽車(chē)冬季制熱的能源效率，從而進(jìn)一步提高汽車(chē)的續(xù)航里程，是未來(lái)的發(fā)展方向。超低溫?zé)岜霉r下，吸氣壓力一般在0.5MPa以上，排氣壓力在2.3MPa左右，吸氣溫度高達(dá)60?℃時(shí)，電動(dòng)壓縮機(jī)作為PTC加熱器工作。
該模式下加熱能量來(lái)源于電動(dòng)壓縮機(jī)輸入的直流電，這對(duì)空調(diào)壓縮機(jī)變頻器的功耗提出了更高的要求：需要在較高的制冷劑溫度下保持大的轉(zhuǎn)矩輸出能力，而SiC MOSFET器件的低損耗和高工作結(jié)溫能力非常適合這些工況。
根據(jù)該團(tuán)隊(duì)的測(cè)算，基于?SiC MOSFET?的電動(dòng)壓縮機(jī)支持的最大出口壓力比基于IGBT?的電動(dòng)壓縮機(jī)高?0.1?至?0.2 MPa，這表明?SiC MOSFET?解決方案的運(yùn)行邊界更寬。
采用SiC MOS好處3：改善壓縮機(jī)NVH性能
第三個(gè)好處，SiC MOSFET?解決方案可改善?NVH?性能。
對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)來(lái)說(shuō)，電動(dòng)壓縮機(jī)系統(tǒng)的NVH問(wèn)題在低速時(shí)更為突出，主要是因?yàn)闆](méi)有傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)背景噪聲振動(dòng)的掩蓋。
電動(dòng)壓縮機(jī)的NVH分析一般遵循“激勵(lì)源-傳輸路徑-接收器”模型，解決方案一般從激勵(lì)源或傳輸路徑入手。
噪聲傳遞途徑方面主要從機(jī)械結(jié)構(gòu)方面考慮，如壓縮機(jī)結(jié)構(gòu)進(jìn)行模態(tài)和階次優(yōu)化設(shè)計(jì)，采用優(yōu)化的減振結(jié)構(gòu)和支架設(shè)計(jì)，使用各類塞頭、減振墊、橡膠墊等措施。
而激勵(lì)源部分主要由以下三類組成：
變頻器+電纜+電機(jī)：因PWM調(diào)制引起的高頻電流切換及高頻電流諧波引起的電磁噪聲。
變頻器+電機(jī)：電機(jī)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)是由時(shí)間諧波（由PWM調(diào)制引起）和空間諧波（由電機(jī)繞組結(jié)構(gòu)、齒輪結(jié)構(gòu)等引起）組合而成。
渦旋機(jī)械結(jié)構(gòu)：由于壓縮機(jī)動(dòng)、靜渦旋盤(pán)在運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)會(huì)產(chǎn)生不平衡的轉(zhuǎn)動(dòng)慣性力，這種周期性的不平衡力極易激發(fā)壓縮機(jī)的高頻振動(dòng)。
對(duì)于上述噪聲激勵(lì)源，?SiC MOSFET?解決方案可以顯著降低表V中的噪聲。
采用SiC MOS好處4：推進(jìn)電動(dòng)壓縮機(jī)小型化
第四個(gè)好處，SiC MOSFET可以推進(jìn)電動(dòng)壓縮機(jī)小型化。
電動(dòng)壓縮機(jī)系統(tǒng)的小型化一直是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)：它可以方便電動(dòng)壓縮機(jī)的布置，節(jié)省前艙空間，縮短壓縮機(jī)線束長(zhǎng)度，并有助于減輕車(chē)輛重量。
電動(dòng)壓縮機(jī)系統(tǒng)小型化的發(fā)展與動(dòng)力總成的發(fā)展類似：在保持相同輸出功率的情況下，提高電機(jī)轉(zhuǎn)速，從而減小電機(jī)和壓縮機(jī)的尺寸。在這種情況下，逆變器輸出的基頻將大幅增加。而且，逆變器的開(kāi)關(guān)頻率必須進(jìn)一步增加以保持相同的電流諧波分量，這對(duì)傳統(tǒng)的IGBT器件來(lái)說(shuō)更具挑戰(zhàn)性。
隨著高速電動(dòng)壓縮機(jī)外徑的大幅減小，逆變器軸向安裝在壓縮機(jī)殼體上，壓縮機(jī)逆變器的安裝尺寸將相應(yīng)受到限制。SiC MOSFET功率器件的低散熱要求和芯片較小的占位面積要求使得功率器件和驅(qū)動(dòng)電路可以集成到小型化的功率模塊（即智能功率模塊IPM）中，從而大幅減小功率電路部分的尺寸，最終實(shí)現(xiàn)電動(dòng)壓縮機(jī)系統(tǒng)的小型化。
文章總結(jié)
根據(jù)該團(tuán)隊(duì)的測(cè)試分析，在電動(dòng)壓縮機(jī)逆變器中應(yīng)用?SiC MOSFET?可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)好處：
提升輕載條件下逆變器效率高達(dá)25%，若考慮更高開(kāi)關(guān)頻率帶來(lái)的額外電機(jī)效率提升，以及壓縮機(jī)損耗降低帶來(lái)的額外復(fù)合效應(yīng)，壓縮機(jī)COP甚至可提升2倍以上。
由于死區(qū)時(shí)間大幅減少、開(kāi)關(guān)頻率提升，電動(dòng)壓縮機(jī)重載工作轉(zhuǎn)速范圍由800～8500 rpm擴(kuò)大至400～12000 rpm，此外，電動(dòng)壓縮機(jī)采用SiC MOSFET可支持極高溫環(huán)境下的增壓及超低溫?zé)岜霉r。
通過(guò)消除人耳可聽(tīng)到的電磁噪聲以及降低由更高開(kāi)關(guān)頻率的PWM調(diào)制產(chǎn)生的時(shí)間諧波引起的扭矩脈動(dòng)，大大提高電動(dòng)壓縮機(jī)的NVH性能。
變頻器體積縮小高達(dá)50%，電動(dòng)壓縮機(jī)重量減輕高達(dá)1kg，將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)壓縮機(jī)系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)化、平臺(tái)化，降低開(kāi)發(fā)制造成本。
電動(dòng)交通&數(shù)字能源SiC技術(shù)應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)
碳化硅是新能源和工業(yè)電氣化的技術(shù)發(fā)展方向，2025年5月15日，“行家說(shuō)”將在上海舉辦“電動(dòng)交通&數(shù)字能源SiC技術(shù)應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)”，本屆大會(huì)將邀請(qǐng)SiC頭部廠商、下游終端應(yīng)用廠家等產(chǎn)業(yè)鏈核心玩家，共同探討碳化硅在新能源汽車(chē)中的技術(shù)應(yīng)用等關(guān)鍵話題。
大會(huì)現(xiàn)已開(kāi)放報(bào)名渠道，因會(huì)議名額有限，先到先得，歡迎掃碼報(bào)名參會(huì)。同時(shí)，活動(dòng)還有少量演講和攤位展示席位，贊助咨詢請(qǐng)?zhí)砑游⑿怕?lián)系（hangjiashuo888）。
