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一、公司背景
新凱來（全稱“深圳市新凱來技術有限公司”），寓意重新凱旋歸來。公司成立于2021年8月，總部位于深圳，隸屬于深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團，實控人為深圳市國資委。其前身為華為旗下半導體設備子公司，2022年因國際供應鏈壓力被剝離后由深圳國資委接手，并注入資金與政策支持，迅速成為國產(chǎn)半導體設備的“黑馬”。公司定位為高端半導體裝備及零部件供應商，致力于通過全鏈路垂直整合打破海外技術壟斷，推動國產(chǎn)替代進程。
二、核心團隊與技術基礎
團隊構成：核心團隊擁有20年以上電子設備研發(fā)經(jīng)驗，傳聞部分成員來自華為“星光工程事業(yè)部”及國內(nèi)頂尖半導體企業(yè)，與xxx國內(nèi)知名廠商合作。
研發(fā)體系：在深圳、北京、上海、武漢等地設立研發(fā)中心，構建了覆蓋“基礎材料工藝-零部件-裝備”的端到端研發(fā)體系，并設立10多個基礎實驗室（如等離子體、熱管理等）以支撐技術創(chuàng)新，嚴格遵循一代工藝，一代材料，一代裝備的研發(fā)路徑。
三、旗艦產(chǎn)品與技術亮點
新凱來發(fā)布6?大類半導體工藝和量檢測裝備累計三十款左右設備。工藝裝備包括外延沉積設備?EPI（峨眉山）、原子層沉積設備?ALD（阿里山）、物理氣相沉積設備?PVD（普陀山）、刻蝕設備?ETCH（武夷山）、薄膜沉積設備?CVD（長白山）等。量檢測產(chǎn)品涵蓋光學檢測、光學量測、PX?量測、功率檢測等領域，如岳麗山?BFI（明場缺陷檢測）、天門山?IBO（圖形套刻量測）、沂蒙山?AFM（原子力顯微鏡量測）、RATE - CP（晶圓電性能檢測）等。
新凱來的產(chǎn)品線聚焦半導體制造全流程，覆蓋刻蝕、薄膜沉積、量檢測等關鍵設備，并以中國名山命名系列產(chǎn)品，象征技術突破的“翻山越嶺”。以下是其核心產(chǎn)品及創(chuàng)新技術：
1.刻蝕設備（ETCH）
代表產(chǎn)品：武夷山?1?號?/ 3?號?/ 5?號
技術亮點：
采用高密度等離子體技術，支持?12?英寸晶圓的精細硅?/?金屬刻蝕，刻蝕速率達行業(yè)先進水平（如鋁刻蝕速率?> 500 nm/min）。
配備可調(diào)節(jié)等離子體源設計，實現(xiàn)離子能量精準控制，確保關鍵尺寸（CD）均勻性誤差?< 2%。
多腔室集群架構支持全自動并行工藝，維護周期長（MTBC>200?小時），適用于邏輯芯片、功率半導體等領域。
2.擴散與外延設備（EPI/RTP）
代表產(chǎn)品：
外延沉積設備（EPI）：峨眉山?1?號?/ 2?號?/ 3?號，用于第三代半導體（如?GaN、SiC）的外延層生長，厚度均勻性?< 1%。
快速熱處理設備（RTP）：三清山?1?號?/ 2?號?/ 3?號，支持晶圓級快速退火（升溫速率?> 1000℃/?秒），適用于先進制程的激活和摻雜工藝。
3.薄膜沉積設備（PVD/CVD/ALD）
物理氣相沉積（PVD）：普陀山?1?號?/ 2?號?/ 3?號，采用磁控濺射技術，金屬薄膜厚度均勻性?< 3%，支持銅互連、阻擋層等工藝。
化學氣相沉積（CVD）：長白山?1?號?/ 3?號，覆蓋氧化硅、氮化硅等介質(zhì)薄膜沉積，臺階覆蓋率?> 95%，適用于?3D NAND?存儲結構。
原子層沉積（ALD）：阿里山?1?號?/ 2?號?/ 3?號，實現(xiàn)單原子層精度的薄膜生長（如?Al?O?厚度誤差?< 0.1 nm），支持?5nm?以下先進制程。
4.物理量測設備
原子力顯微鏡（AFM）：沂蒙山?AFM，分辨率達?0.1 nm，用于納米級表面形貌分析，支持晶圓粗糙度、線寬量測。
X?射線光電子能譜（XPS）：赤壁山?XP，元素檢測靈敏度?< 0.1 at.%，用于薄膜成分分析，已在客戶端穩(wěn)定運行超?2?萬小時。
5.X?射線量測設備
X?射線衍射（XRD）：赤壁山?XD，晶體結構分析精度達?0.01°，支持外延層應力測量。
X?射線熒光（XRF）：赤壁山?XF，金屬雜質(zhì)檢測限?< 1 ppb，適用于晶圓污染分析。
6.光學量檢測設備
明場缺陷檢測（BFI）：岳麗山?BFI，采用?LSP?光源（亮度超太陽），支持?10nm?以下缺陷檢測，檢出率?> 99.9%。
暗場缺陷檢測（DFI）：丹霞山?DFI，靈敏度達?0.5nm，適用于邏輯芯片和存儲器件的關鍵層檢測。
光學量測（IBO/DBO）：天門山系列，套刻精度?< 1nm，支持?3D NAND?的層間對準測量。
量檢測裝備技術突破
光學量檢測
(1)核心技術：LSP?光源技術（激光維持等離子體發(fā)光），實現(xiàn)高亮度寬譜光源（170-2100 nm），功率穩(wěn)定性?< 0.3% RMS。
應用場景：邏輯芯片的金屬互連層缺陷檢測、存儲芯片的?3D?堆疊結構完整性分析。
(2)?PX?量測（物理與?X?射線）
原子力顯微鏡（AFM）：采用納米級探針技術，支持晶圓表面粗糙度、薄膜應力的高精度測量。
X?射線組合技術：XPS/XRD/XRF?集成，實現(xiàn)材料成分、晶體結構、元素分布的多維度分析。
(3)?功率檢測
晶圓電性能檢測（RATE-CP）：支持?50MHz?以下射頻參數(shù)測試，適用于功率半導體的晶圓級篩選。
成品率提升：通過缺陷分類（如顆粒、線寬異常）和工藝溯源，幫助客戶將良率提升?5%-10%
7. 光刻機技術創(chuàng)新
非光學補光技術：針對光刻機禁運限制，新凱來提出“先進光刻+非光補光”路徑，通過多重圖形曝光（如SAQP自對準四重圖形曝光）、自對準沉積等技術，繞開傳統(tǒng)光刻限制，提升制程精度。采用自對準四重成像（SAQP）技術，結合華為海思算法優(yōu)化，來提升光刻精度。SAQP?技術是從自對準雙重圖形化（SADP）技術發(fā)展而來，通過在硅晶圓上進行多次蝕刻，增加晶體管密度從而提升芯片性能。其利用深紫外光刻（DUV）設備，通過特殊的算法和工藝步驟，將原本?DUV?光刻機的精度提升?300%，以實現(xiàn)更高分辨率的圖形轉(zhuǎn)移，達到接近?EUV?光刻機的?5nm?制程水平。
關鍵參數(shù)：支持20-65nm工藝節(jié)點，分辨率達1微米，投影成像質(zhì)量達90%，處理器速度較上代提升25%。其光刻機采用自主生產(chǎn)的核心材料（如光刻膠），打破海外技術依賴。
成本優(yōu)勢：通過國產(chǎn)化供應鏈和規(guī)模化生產(chǎn)，設備價格較國際同類產(chǎn)品大幅降低，且售后服務響應速度行業(yè)領先。
四、競爭力表現(xiàn)
1.?技術對標國際巨頭
新凱來的設備性能直接對標應用材料、東京電子等企業(yè)，如武夷山刻蝕機良率已追平臺積電5nm工藝，ALD設備精度超越日企，填補國產(chǎn)高端設備空白。
2.?產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應
依托深圳國資委的資源整合能力，與xxx等國內(nèi)知名廠商建立合作，形成“設備-晶圓廠”閉環(huán)，加速產(chǎn)品驗證與量產(chǎn)。
3.?市場響應與國產(chǎn)替代
受地緣政治推動，新凱來設備已獲xxx等頭部客戶采購，其光刻機相關技術突破帶動國產(chǎn)光刻膠、濕電子化學品等配套產(chǎn)業(yè)股價飆升（如新萊應材、江化微等）。
4.?政策與資本支持
國家大基金二期注資50億元，深圳國資委提供資金與政策傾斜，助力研發(fā)投入與產(chǎn)能擴張。
新凱來憑借技術積累及產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，在刻蝕、沉積等設備領域?qū)崿F(xiàn)突破，其光刻機技術通過非傳統(tǒng)路徑繞開封鎖，展現(xiàn)了國產(chǎn)半導體設備的創(chuàng)新潛力。未來需持續(xù)突破光刻機核心技術（如EUV光源），但現(xiàn)有成果已為國產(chǎn)替代注入強心劑，并引發(fā)國際巨頭價格調(diào)整（如應用材料對華設備降價25%）。
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