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爍科晶體:12英寸碳化硅襯底,開拓AR眼鏡新邊界

03/26 12:15
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SEMICON China 2025將于3月26-28日在上海浦東新國際博覽中心盛大啟幕。作為全球半導體行業(yè)最具影響力的展會之一,本屆展會吸引了來自全球的1400多家參展商,展會覆蓋芯片設計、制造、封測、設備、材料等全產(chǎn)業(yè)鏈最新產(chǎn)品和技術(shù)。

爍科晶體將攜全系列碳化硅襯底產(chǎn)品精彩亮相,將重點展示12英寸高純半絕緣碳化硅襯底、導電N型碳化硅襯底產(chǎn)品。其中,旗下12英寸高純半絕緣襯底(2024年12月全球首發(fā))憑借其光學性能優(yōu)勢,成為下一代“AR+AI智能眼鏡的核心材料。

2024年,Meta和慕德微納率先在AR眼鏡中導入了基于碳化硅的光波導鏡片,這一標桿性突破不僅推動了AR眼鏡光波導鏡片的技術(shù)升級,也為碳化硅襯底開辟了新的增量賽道。2025年,碳化硅在AR眼鏡領域的合作與應用逐漸升溫,XREAL和雷鳥創(chuàng)新等各大廠商也紛紛加快碳化硅的技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)鏈合作,碳化硅光波導已確立為AR眼鏡產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)路徑。

當前,AR眼鏡光學模組普遍采用高折玻璃或樹脂材料,但其光損耗高、耐熱性差、機械強度不足等缺陷,難以滿足高端設備對輕量化、高清晰度及耐用性的嚴苛需求。而碳化硅材料的三大核心性能正推動行業(yè)變革:

● 高折射率(約2.6):在AR光波導系統(tǒng)中實現(xiàn)更高效的光線引導,較玻璃材料減少30%光損耗,支持更緊湊的光學設計;

● 高透過率:SiC材料在可見光及近紅外波段(400nm-1100nm)具有高透過率,特別適用于AR光波導系統(tǒng),可顯著減少光損耗,提高畫面亮度,增強沉浸感。

● 高熱導率:快速導出電子元件熱量,解決設備發(fā)熱導致的佩戴不適與壽命衰減問題。

然而,傳統(tǒng)SiC光學襯底多以4英寸和6英寸為主,受限于加工尺寸與成本,難以支撐AR眼鏡規(guī)?;逃眯枨?/strong>。爍科晶體12英寸高純半絕緣襯底的推出,可有效提升光學元件的加工尺寸,提高生產(chǎn)效率,降低單位成本,為AR設備量產(chǎn)掃清關(guān)鍵障礙。該產(chǎn)品于今年1月在日本Nepcon Japan重磅亮相,引起全球客戶的關(guān)注。

與6英寸碳化硅襯底相比,12英寸襯底的面積提升了4倍左右,晶圓邊緣無效區(qū)域可壓縮至6%,有效提升SiC鏡片的出片率,從而能夠有效提升光學元件的加工尺寸,大幅提高生產(chǎn)效率,顯著降低單位成本,為 AR 設備的量產(chǎn)鋪平了道路,助力其邁向更廣闊的市場。

作為行業(yè)技術(shù)標桿,爍科晶體在國內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術(shù)攻關(guān),一舉突破國外對我國碳化硅晶體生長技術(shù)的長期封鎖,是目前國內(nèi)率先實現(xiàn)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈自主可控的碳化硅材料供應商。2021 年,其4英寸高純半絕緣襯底以超50%的市占率主導國內(nèi)市場,廣泛應用于5G基站射頻芯片領域。

在射頻領域和功率半導體等市場持續(xù)領跑的同時,爍科晶體以創(chuàng)新為引領,也在積極布局AR光學模組等新興領域,為自身在光學領域的飛躍鋪就發(fā)展基石。

爍科晶體表示,隨著蘋果Vision Pro、Meta 等高端AR設備的推出,全球AR市場進入高速增長期。爍科晶體12英寸高純半絕緣碳化硅襯底技術(shù)壁壘的突破,不僅推動了碳化硅材料在光學領域的規(guī)?;瘧?,也為AR設備制造商提供了更高性能、更具性價比的核心材料。

他們認為,未來隨著SiC材料的制備工藝不斷成熟,AR光學元件的性能將進一步提升,用戶將體驗到更清晰、更輕便、更低功耗的智能眼鏡。而爍科晶體將持續(xù)深耕碳化硅技術(shù),助力AR行業(yè)邁向新紀元。

除了半絕緣碳化硅襯底外,爍科晶體在碳化硅導電型襯底領域也是全球的佼佼者,尤其是在8英寸碳化硅襯底領域成績斐然:2021年9月制備出國內(nèi)首塊8英寸碳化硅單晶,2022年3月又率先加工出8英寸碳化硅單晶襯底,2023年再次率先將8英寸碳化硅襯底厚度降至350微米。

憑借在8英寸碳化硅領域的深厚積累,爍科晶體在導電型碳化硅襯底的賽道上不斷突破自我,持續(xù)引領行業(yè)發(fā)展。值得一提的是,在此次展會中,爍科晶體還將重磅亮相12英寸導電N型碳化硅襯底產(chǎn)品,這一突破性成果充分彰顯了其在導電型襯底領域已然實現(xiàn)全球超大尺寸的技術(shù)引領。

從高純半絕緣襯底領跑AR光學革命,到如今導電型襯底成功突破超大尺寸技術(shù)壁壘,爍科晶體憑借“雙技術(shù)路線”如虎添翼,正強勢驅(qū)動碳化硅材料在全球多領域開啟規(guī)?;瘧玫男录o元,多個“第一”有效夯實了爍科在行業(yè)內(nèi)的核心地位,其技術(shù)實力和創(chuàng)新魄力無疑已成為全球半導體材料領域的璀璨標桿。

3月26日~28日,爍科晶體誠邀全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈伙伴蒞臨展臺E7館-7455號,共同探討碳化硅材料的未來應用邊界,見證中國第三代半導體的創(chuàng)新力量。

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