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我們知道硅片清洗，但是如何清洗才是滿足要求的方法呢？那就必須來給大家具體說說，正確的硅片清洗方法。希望大家一起學(xué)習(xí)與分享，因為只有正確的方法操作才能達(dá)到最終目標(biāo)。
硅片清洗最正確方法一覽
硅片清洗的正確方法需要綜合考慮多個因素，以確保清洗后的硅片具有良好的質(zhì)量和性能。以下是一些關(guān)鍵步驟：
預(yù)清洗
刷洗：對于表面有較多顆粒雜質(zhì)或灰塵的硅片，可先用柔軟的刷子進(jìn)行刷洗，以去除表面的松散顆粒和污垢。刷洗時要注意力度，避免損傷硅片表面。
超聲波粗洗：將硅片放入盛有光學(xué)清洗劑的超聲清洗槽中，設(shè)置超聲溫度為50-60℃，清洗時間為10-15分鐘。超聲清洗能夠通過液體介質(zhì)中的疏部和密部產(chǎn)生的壓力變化，使硅片表面的雜質(zhì)解吸，但此方法對小于1μm的顆粒去除效果不佳。
化學(xué)清洗
堿性清洗液浸泡：常用的堿性溶液有氫氧化鈉、氫氧化銨等。將硅片放入堿性溶液中，溫度控制在50-60℃之間，浸泡時間約5-10分鐘，以去除硅片表面的有機(jī)物、無機(jī)污染物以及光刻膠等。
酸性清洗液浸泡：在堿洗后進(jìn)行酸洗，使用酸性溶液如鹽酸、硫酸等，溫度同樣控制在50-60℃，浸泡時間約5-10分鐘，以中和殘留的堿液，并去除一些在堿洗過程中可能未完全去除的雜質(zhì)。
雙氧水體系清洗：先將硅片用成分比為H?SO?:H?O?=5:1或4:1的酸性液清洗，再用成分比為H?O:H?O?:NH?OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的堿性清洗液清洗，最后使用成分比為H?O:H?O?:HCl=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液清洗。這種方法效果好，環(huán)境污染小。
精洗
兆聲波清洗：由換能器發(fā)出波長為1.5μm頻率為0.8兆赫的高能聲波，使溶液分子產(chǎn)生加速運動，形成高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面，可去除硅片表面上小于0.2μm的粒子，起到機(jī)械擦片和化學(xué)清洗兩種方法的作用。
臭氧微泡法：利用臭氧溶解在水中生成的高活性O(shè)H基，與有機(jī)物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，除去硅片表面的有機(jī)雜質(zhì)，同時在硅片表面覆蓋一層原子級光滑程度的氧化膜，有效隔離雜質(zhì)的再吸附。
漂洗
溢流漂洗：使用去離子水對經(jīng)過化學(xué)清洗和精洗后的硅片進(jìn)行初步漂洗，以去除殘留的化學(xué)試劑。
慢拉脫水：將漂洗后的硅片放入慢拉脫水機(jī)中，用純凈的去離子水進(jìn)行慢拉脫水處理，以去除表面的水分。
干燥
烘干：把脫水后的硅片放入烘箱中，在80-100℃的溫度下進(jìn)行烘干處理，時間根據(jù)具體情況而定，一般為10-15分鐘，使硅片表面完全干燥，避免水分對后續(xù)加工或使用造成影響。
