作者 | strongerHuang
隨著物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展,低功耗MCU的需求量越來(lái)越大。同時(shí),隨著智能化的發(fā)展,物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備對(duì)MCU的性能又要求很高。
于是,就出現(xiàn)了這樣的需求:既要低功耗,又要高性能。
在過(guò)去很長(zhǎng)的一段時(shí)間,32位ARM內(nèi)核的低功耗MCU大多在停留在Cortex-M0,或M0+這個(gè)水平。
這些年隨著既要又要需求的出現(xiàn),M0內(nèi)核已經(jīng)不能滿足要求了。于是,低功耗MCU開(kāi)始用上了更先進(jìn)的內(nèi)核,今年低功耗MCU已經(jīng)來(lái)到了Cortex-M33的時(shí)代。
單片機(jī)(Cortex-M)的ARM內(nèi)核只有10多款,早些年主流的性能單片機(jī)的內(nèi)核是M3,而如今的M33已經(jīng)遠(yuǎn)超M3內(nèi)核了。
最近(2025-02-19),瑞薩官方發(fā)布消息:推出集成電容式觸控、段碼LCD、USB和強(qiáng)大安全功能的Cortex-M33內(nèi)核超低功耗MCU:RA4L1.
消息地址:
https://www.renesas.cn/zh/about/newsroom/renesas-debuts-ultra-low-power-ra4l1-mcus-capacitive-touch-segment-lcd-and-robust-security
瑞薩RA4L1單片機(jī)主打一個(gè)低功耗,當(dāng)然,性能在同等低功耗水平下,也屬于“高性能”。應(yīng)用在水表、智能鎖、HMI、物聯(lián)網(wǎng)傳感器等領(lǐng)域。
低功耗特點(diǎn):工作模式下的功耗為168μA/MHz;在保留所有SRAM的情況下,待機(jī)電流僅為1.70μA。
高性能特點(diǎn):Arm Cortex-M33內(nèi)核,主頻高達(dá)80MHz,包含TrustZone技術(shù)。
外設(shè)資源豐富:段碼式LCD、電容式觸控、USB-FS、CAN FD、低功耗UART、SCI、SPI、QSPI、I2C、I3C、SSI、ADC、DAC、比較器、低功耗定時(shí)器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘等。
瑞薩為RA系列MCU提供了靈活配置軟件包(FSP),也就是大家說(shuō)的HAL庫(kù)(中間軟件包),可以通過(guò) RASC工具快速生成項(xiàng)目工程,也可以借助官方提供的e2 stuido集成開(kāi)發(fā)環(huán)境,一站式開(kāi)發(fā)(生成項(xiàng)目、編輯代碼、編譯、下載、調(diào)試等)。
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