PECVD TEOS工藝介紹

知識星球（星球名：芯片制造與封測技術(shù)社區(qū)，星球號：63559049）里的學員問：在沉積SiO2薄膜時，常采用PECVD TEOS工藝，那么TEOS有哪些優(yōu)勢？

什么是TEOS？

如上圖是，TEOS，分子式為Si(OC?H?)?，即四乙氧基硅烷。它是一種有機硅化合物，通常作為硅源，在低壓LPCVD或PECVD中生成二氧化硅。

PECVD TEOS工藝的反應(yīng)方程式？

Si(OC?H?)? + 0?==》Si02+揮發(fā)性副產(chǎn)物該反應(yīng)在400℃左右進行反應(yīng)，適合低溫沉積。

為什么要用TEOS來沉積薄膜？

1，替代硅烷。TEOS用于替代硅烷（SiH?）來沉積SiO?薄膜。

2，具有較好的臺階覆蓋性。在復(fù)雜的表面形貌，如溝槽或孔洞上，能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜的均勻沉積。3，相比于硅烷，副反應(yīng)較少

PECVD?TEOS中的摻雜？

PECVD TEOS不僅可以用來制作USG,PSG,BPSG,FSG等。

USG，是未摻雜的SiO2。PSG，是摻磷的SiO2；BPSG，是摻硼、磷的SiO2；FSG，是摻氟的SiO2。以上薄膜均可以用PECVD TEOS工藝來制得，通過摻入對應(yīng)源材料，實現(xiàn)薄膜的摻雜。磷源常使用TMP（P(OCH3)3）或TEPO磷硼源常使用TMB 氟源常使用SiF4或FTES

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