
容耦隔離芯片的典型應(yīng)用原理圖
值得一提的是,在電子電路中引入隔離措施會帶來傳輸延遲、功耗增加、成本增加與尺寸增加等問題,而數(shù)字隔離芯片的目標(biāo)就是盡可能消除這些不利影響,同時(shí)滿足安全法規(guī)的要求。
不同類型的隔離芯片,如何實(shí)現(xiàn)電氣隔離?
容耦隔離是一種基于電容通高頻阻低頻的原理來實(shí)現(xiàn)信號傳輸與電氣隔離的技術(shù)。

容耦隔離芯片的結(jié)構(gòu)簡示圖
在信號傳輸階段,調(diào)制后的高頻信號通過芯片內(nèi)部的隔離電容傳輸?shù)捷敵龆?。由于電容具有隔直流通交流的特性,所以可以有效地阻?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/1565160.html">直流分量和低頻干擾信號,只允許高頻調(diào)制信號通過。
磁耦隔離是一種采用電磁感應(yīng)原理來實(shí)現(xiàn)信號傳輸與電氣隔離的技術(shù)。

磁耦隔離芯片的結(jié)構(gòu)簡示圖
在信號傳輸階段,變壓器初級線圈在脈沖信號的作用下產(chǎn)生磁場變化,根據(jù)電磁感應(yīng)定律,變化的磁場會在次級線圈中感應(yīng)出電動勢。由于變壓器的初、次級線圈之間具有良好的磁耦合,磁場能有效地從初級線圈傳遞到次級線圈,從而將初級線圈的信號以磁場為媒介耦合到次級線圈。
在信號接收階段,次級端電路檢測到感應(yīng)電動勢后,對其進(jìn)行處理和解碼,將其還原為與輸入信號邏輯對應(yīng)的1ns脈沖信號。而后,脈沖信號經(jīng)過電路處理后在輸出端重新恢復(fù)為最初的電信號。
光耦隔離是一種使用光電耦合器來實(shí)現(xiàn)信號傳輸與電氣隔離的技術(shù)。
在信號輸入階段,來自MCU的電信號會通過LED,LED會根據(jù)電信號電流的大小和變化產(chǎn)生相應(yīng)強(qiáng)度和變化的光信號。例如:輸入高電平時(shí),通過LED的電流較大,LED發(fā)光強(qiáng)度較強(qiáng);輸入低電平時(shí),通過LED的電流較小或無電流,LED發(fā)光強(qiáng)度較弱或不發(fā)光。

光耦隔離芯片的結(jié)構(gòu)簡示圖
在信號傳輸階段,LED發(fā)出的光信號會通過光耦內(nèi)部的PI、空氣等透明隔離介質(zhì),傳輸?shù)捷敵龆说?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/1652658.html">光敏元件中。在此過程中,由于光信號的傳輸是通過透明隔離介質(zhì)進(jìn)行的,因此輸入和輸出端在電氣上是完全隔離的。
不同類型的隔離芯片,孰優(yōu)孰劣?
綜上所訴,容耦隔離芯片是利用電場信號來實(shí)現(xiàn)的信息傳輸與電氣隔離,采用CMOS工藝,具備抗干擾能力較強(qiáng)、數(shù)據(jù)傳輸速率較高、集成度較高、功耗較小、體積較小、成本較低等優(yōu)點(diǎn),常用于高速數(shù)字信號的隔離。
磁耦隔離芯片是利用磁場信號來實(shí)現(xiàn)的信息傳輸與電氣隔離,采用CMOS工藝,具備數(shù)據(jù)傳輸速率較高、集成度較高與體積較小等優(yōu)點(diǎn),但其存在功耗相對容耦隔離芯片較大、易受外部磁場干擾與應(yīng)用成本較高等缺點(diǎn),常用于高速數(shù)字信號的隔離。
光耦隔離芯片是利用光信號來實(shí)現(xiàn)的信息傳輸與電氣隔離,具備技術(shù)成熟度較高、抗干擾能力較強(qiáng)與成本較低等優(yōu)點(diǎn),但其存在數(shù)據(jù)傳輸速率較低、功耗較高、體積較大、隔離等級受限與光衰等缺點(diǎn),常用于低速和中速數(shù)字信號的隔離。

現(xiàn)階段,數(shù)字隔離芯片將進(jìn)一步取代傳統(tǒng)光耦隔離芯片已成為業(yè)內(nèi)共識,其中容耦隔離芯片是業(yè)內(nèi)主流的技術(shù)發(fā)展方向。在數(shù)字隔離芯片的技術(shù)賽道上,容耦隔離芯片在抗干擾能力與成本方面均優(yōu)于磁耦隔離芯片,在下游市場端滲透更快,應(yīng)用領(lǐng)域亦更加寬泛。
容耦隔離芯片,“守護(hù)”電子系統(tǒng)的最優(yōu)選


展望未來,隨著容耦隔離芯片技術(shù)水平的不斷提升,可以預(yù)見,容耦隔離芯片作為保障電子電路安全的關(guān)鍵組件,將在新能源汽車、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)、信息通訊等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出更加廣泛的應(yīng)用潛力。
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